| 摘要 |
본 발명은 α-SiC 단결정기재(1)의 표면에 연마면을 거쳐서 밀착상태로 혹은 열 CVD법에 의해 층상으로 막이 형성된 β-SiC 다결정판(2)을 적층해서 형성된 복합체(M)를, 1850∼2400℃의 온도범위에서 열처리해서 β-SiC 다결정판(2)의 다결정체를 단결정으로 변태시켜서, α-SiC 단결정기재(1)의 결정축과 동일 방위로 배향된 단결정을 성장시키므로서, 마이크로파이프 결함, 격자결함 및 불순물의 침입에 의한 결정입계의 발생 등이 없는 고품위로 대형의 단결정 SiC를 용이하게 또한 효율적으로 제조할 수 있게 한 것이다. |
