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<p>본 발명은 신호 라인상의 정전기방전 스파이크들을 감소시키기 위한 정전기방전 방지장치에 관한 것이다. 상기 정전기방전 방지장치는 화합물 반도체 기판과 같은 반도체 재료내에 형성되는 제 1 및 제 2 콘택 영역들을 포함한다. 제 1 터미널은 상기 신호 라인 및 상기 제 1 콘택 영역 사이에서 전기적으로 접속된다. 제 2 터미널은 상기 제 2 콘택 영역 및 접지부와 같은 싱크 사이에서 전기적으로 접속된다. 분리 영역은 상기 제 1 및 제 2 콘택 영역들 사이에서 상기 반도체 재료내에 형성된다. 분리 영역은 상기 반도체 재료의 주입-손상된 영역일 수 있다. 상기 정전기방전 방지장치는 I/O 라인들에 작은 양의 기생용량만을 부가하면서 집적회로 부품들에 대한 정전기방전을 방지한다. 작은 양의 기생용량만을 부가한다는 사실은 RF 신호처리 회로에 있어서 특히 중요하게 된다.</p> |
