METHOD FOR GENERATING DEFECTS IN A GRID SUPPORT OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL

摘要

Um auf einfache und kostengünstige Weise eine genaue Steuerung von Gitterdefekten in einem Halbleitermaterial zu ermöglichen, ist ein Verfahren zum Erzeugen von Defekten in einer Gitterstruktur eines Halbleitermaterials während dessen thermischer Behandlung vorgesehen, bei dem die Defekt-bzw. Fehlstellenkonzentration und/oder-verteilung in Abhängigkeit von einer Prozessgasatmosphäre gesteuert wird.