低能离子束细胞修饰技术和装置

摘要

本发明是低能离子束细胞修饰技术和装置。$本发明技术是用低能离子束溅射刻蚀对放在微环境靶室内的并经过预冷的动、植物细胞进行溅射刻蚀，外源基因导入，细胞融合等。$本发明装置是由一个离子源，一个可使离子束通过的主真空室和一个微环境靶室组成。微环境靶室内装有样品架，配有预抽系统，装有高效过滤材料和气源接口的气流净化结构。主真空室与微环境靶室是由隔离阀连接的。

主权项

1.一种低能离子束细胞修饰技术，其特征是用低能离子束对放在微环境靶室内的，并经过预冷过的动、植物细胞进行注入、溅射和刻蚀，所述的离子束，在作细胞诱变时注入N+离子，能量为30～50KeV，剂量为1×1016 ～1×1016，在作细胞壁刻蚀时用Ar+离子，能量为10～20KeV，剂量为1×1014～1×1015，所述的微环境靶室内的真空度为2×10-4～2×10-6乇。