发明名称 |
Schaltungsanordnung zur Unterstromerkennung an einem MOS-Leistungstransistor |
摘要 |
Es wird eine Schaltungsanordnung zur Unterstromerkennung an einem MOS-Leistungstransistor beschrieben, die sich insbesondere auszeichnet durch eine erste Schaltungseinheit zur Erzeugung eines Stromspiegels mit einem ersten Transistor (M1), mit der bei geringem Laststrom an dem Leistungstransistor (M2) die an diesem abfallende Spannung mit einer ersten Referenzspannung verglichen und bei Unterschreiten der ersten Referenzspannung ein Unterstromsignal erzeugt wird, sowie eine zweite Schaltungseinheit zur Begrenzung der Drainspannung des Leistungstransistors (M2) bei hohem Laststrom auf einen maximalen Wert.
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申请公布号 |
DE19918042(A1) |
申请公布日期 |
2000.11.09 |
申请号 |
DE19991018042 |
申请日期 |
1999.04.21 |
申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
KUCHER, ANDREAS;WACHTER, FRANZ |
分类号 |
G01R19/165;(IPC1-7):G01R19/165;G05F3/16;H02H3/24;H02H9/02;H03K17/687 |
主分类号 |
G01R19/165 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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