发明名称 Schaltungsanordnung zur Unterstromerkennung an einem MOS-Leistungstransistor
摘要 Es wird eine Schaltungsanordnung zur Unterstromerkennung an einem MOS-Leistungstransistor beschrieben, die sich insbesondere auszeichnet durch eine erste Schaltungseinheit zur Erzeugung eines Stromspiegels mit einem ersten Transistor (M1), mit der bei geringem Laststrom an dem Leistungstransistor (M2) die an diesem abfallende Spannung mit einer ersten Referenzspannung verglichen und bei Unterschreiten der ersten Referenzspannung ein Unterstromsignal erzeugt wird, sowie eine zweite Schaltungseinheit zur Begrenzung der Drainspannung des Leistungstransistors (M2) bei hohem Laststrom auf einen maximalen Wert.
申请公布号 DE19918042(A1) 申请公布日期 2000.11.09
申请号 DE19991018042 申请日期 1999.04.21
申请人 SIEMENS AG 发明人 KUCHER, ANDREAS;WACHTER, FRANZ
分类号 G01R19/165;(IPC1-7):G01R19/165;G05F3/16;H02H3/24;H02H9/02;H03K17/687 主分类号 G01R19/165
代理机构 代理人
主权项
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