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经营范围
发明名称
ANISOTROPIC, FLUORINE-BASED PLASMA ETCHING METHOD FOR SILICON
摘要
申请公布号
KR20000064946(A)
申请公布日期
2000.11.06
申请号
KR1019980708355
申请日期
1998.10.19
申请人
发明人
分类号
H01L21/3065
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
主权项
地址
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