| 主权项 |
1.一种白色发光二极体包含:一氮化铟镓发光层,其具有一第一主要表面与一第二主要表面;一p型束缚层,其与该氮化铟镓发光层之该第一主要表面结合;以及一n型束缚层,其与该氮化铟镓发光层之该第二主要表面结合;其特征在于:该氮化铟镓发光层包含InxGa1-xN, 其中,0.15 ≦ x ≦0.5,且该氮化铟镓发光层中掺杂预定种类之元素,俾在该氮化铟镓发光层中产生黄光主波峰。2.依申请专利范围第1项之白色发光二极体,其中所掺杂预定种类之元素包含选自于锌、镉、铍、锂、汞、矽、碳、以及镁所构成材料群组中的一种材料。3.依申请专利范围第1项之白色发光二极体,其中所掺杂预定种类之元素为锌。4.一种白色发光二极体包含:一氮化铟镓发光层结构,其具有一第一主要表面与一第二主要表面;一p型束缚层,其与该氮化铟镓发光层之该第一主要表面结合;以及一n型束缚层,其与该氮化铟镓发光层之该第二主要表面结合;其特征在于:该氮化铟镓发光层结构包含r个氮化铟镓量子井与r+1个氮化铟镓障壁层,使得每一个氮化铟镓量子井上下二侧皆有一氮化铟镓障壁层,其中,r≧1,每一氮化铟镓量子井系由IneGa1-eN构成,每一氮化铟镓障壁层系由InfGa1-fN构成, 0.15≦f<e≦0.5,且该每一个氮化铟镓量子井中掺杂预定种类之元素,俾在该氮化铟镓量子井中产生黄光主波峰。5.依申请专利范围第4项之白色发光二极体,其中该每一个氮化铟镓量子井中所掺杂预定种类之元素包含选自于锌、镉、铍、锂、汞、矽、碳、以及镁所构成材料群组中的一种材料。6.依申请专利范围第4项之白色发光二极体,其中该每一个氮化铟镓量子井中所掺杂预定种类之元素为锌。7.一种白色发光二极体,包含:一绝缘基层;一长晶层,形成于该绝缘基层上;一n型缓冲层,形成于该长晶层上;一p型接触层,形成于该缓冲层上,其表面分为第一区域及第二区域;一p型束缚层,形成于该p型接触层之该第一区域上;一氮化铟镓发光层,形成于该p型束缚层上;一n型束缚层,形成于该发光层上;一n型接触层,形成于该n型束缚层上,其表面分为第一区域及第二区域;一透明导电层,形成于该n型接触层之该第一区域上;一n型电极,形成于该n型接触层之该第二区域上;以及一p型电极,形成于该p型接触层之该第二区域上;其特征在于:该氮化铟镓发光层包含InxGa1-xN, 其中,0.15 ≦ x ≦0.5,且该氮化铟镓发光层中掺杂预定种类之元素,俾在该氮化铟镓发光层中产生黄光主波峰。8.依申请专利范围第7项之白色发光二极体,其中该绝缘基层包含选自于蓝宝石、LiGaO3.及LiAlO3所构成材料群组中的一种材料;该长晶层包含选自于GaN、AlmGamN, 其中, 0 ≦ m ≦1.及InnGanN, 其中, 0 ≦n ≦1,所构成材料群组中的一种材料;该n型缓冲层系由GaN材料制成;该p型接触层包含选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料;该p型束缚层包含AlxGa1-xN, 其中, 0 ≦ x ≦1;该n型束缚层包含AlzGa1-zN, 其中, 0 ≦ z ≦1;该n型接触层包含选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料;该透明导电层包含选自于氧化铟锡(In2O3:Sn)、氧化镉锡(Cd2SnO4)、TiN、SnO2:Sb所构成材料群组中的一种材料;该n型电极包含选自于Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、Pt/Ni/Au、Mo/Au、以及Co/Au所构成材料群组中的一种材料;该p型电极包含选自于Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、Pt/Ni/Au、Mo/Au、以及Co/Au所构成材料群组中的一种材料;该氮化铟镓发光层中所掺杂预定种类之元素包含选自于锌、镉、铍、锂、汞、矽、碳、以及镁所构成材料群组中的一种材料。9.依申请专利范围第7项之白色发光二极体,其中该绝缘基层包含选自于蓝宝石、LiGaO3.及LiAlO3所构成材料群组中的一种材料;该长晶层包含选自于GaN、AlmGamN, 其中, 0 ≦ m ≦1.及InnGanN, 其中, 0 ≦n ≦1,所构成材料群组中的一种材料;该n型缓冲层系由GaN材料制成;该p型接触层包含选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料;该p型束缚层包含AlxGa1-xN, 其中, 0 ≦ x ≦1;该n型束缚层包含AlzGa1-zN, 其中, 0 ≦ z ≦1;该n型接触层包含选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料;该透明导电层包含选自于氧化铟锡(In2O3:Sn)、氧化镉锡(Cd2SnO4)、TiN、SnO2:Sb所构成材料群组中的一种材料;该n型电极包含选自于Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、Pt/Ni/Au、Mo/Au、以及Co/Au所构成材料群组中的一种材料;该p型电极包含选自于Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、Pt/Ni/Au、Mo/Au、以及Co/Au所构成材料群组中的一种材料;该氮化铟镓发光层中所掺杂预定种类之元素为锌。10.一种白色发光二极体,包含:一绝缘基层;一长晶层,形成于该绝缘基层上;一n型缓冲层,形成于该长晶层上;一p型接触层,形成于该缓冲层上,其表面分为第一区域及第二区域;一p型束缚层,形成于该p型接触层之该第一区域上;一氮化铟镓发光层结构,形成于该p型束缚层上;一n型束缚层,形成于该发光层上;一n型接触层,形成于该n型束缚层上,其表面分为第一区域及第二区域;一透明导电层,形成于该n型接触层之该第一区域上;一n型电极,形成于该n型接触层之该第二区域上;以及一p型电极,形成于该p型接触层之该第二区域上;其特征在于:该氮化铟镓发光层结构包含r个氮化铟镓量子井与r+1个氮化铟镓障壁层,使得每一个氮化铟镓量子井上下二侧皆有一氮化铟镓障壁层,其中,r≧1,每一氮化铟镓量子井系由IneGa1-eN构成,每一氮化铟镓障壁层系由InfGa1-fN构成, 0.15≦f<e≦0.5,且该每一个氮化铟镓量子井中掺杂预定种类之元素,俾在该氮化铟镓量子井中产生黄光主波峰。11.依申请专利范围第10项之白色发光二极体,其中该绝缘基层包含选自于蓝宝石、LiGaO3.及LiAlO3所构成材料群组中的一种材料;该长晶层包含选自于GaN、AlmGamN, 其中, 0 ≦ m ≦1.及InnGanN, 其中, 0 ≦n ≦1,所构成材料群组中的一种材料;该n型缓冲层系由GaN材料制成;该p型接触层包含选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料;该p型束缚层包含AlxGa1-xN, 其中, 0 ≦ x ≦1;该n型束缚层包含AlzGa1-zN, 其中, 0 ≦ z ≦1;该n型接触层包含选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料;该透明导电层包含选自于氧化铟锡(In2O3:Sn)、氧化镉锡(Cd2SnO4)、TiN、SnO2:Sb所构成材料群组中的一种材料;该n型电极包含选自于Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、Pt/Ni/Au、Mo/Au、以及Co/Au所构成材料群组中的一种材料;该p型电极包含选自于Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、Pt/Ni/Au、Mo/Au、以及Co/Au所构成材料群组中的一种材料;该每一个氮化铟镓量子井中所掺杂预定种类之元素包含选自于锌、镉、铍、锂、汞、矽、碳、以及镁所构成材料群组中的一种材料。12.依申请专利范围第10项之白色发光二极体,其中该绝缘基层包含选自于蓝宝石、LiGaO3.及LiAlO3所构成材料群组中的一种材料;该长晶层包含选自于GaN、AlmGamN, 其中, 0 ≦ m ≦1.及InnGanN, 其中, 0 ≦n ≦1,所构成材料群组中的一种材料;该n型缓冲层系由GaN材料制成;该p型接触层包含选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料;该p型束缚层包含AlxGa1-xN, 其中, 0 ≦ x ≦1;该n型束缚层包含AlzGa1-zN, 其中, 0 ≦ z ≦1;该n型接触层包含选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料;该透明导电层包含选自于氧化铟锡(In2O3:Sn)、氧化镉锡(Cd2SnO4)、TiN、SnO2:Sb所构成材料群组中的一种材料;该n型电极包含选自于Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、Pt/Ni/Au、Mo/Au、以及Co/Au所构成材料群组中的一种材料;该p型电极包含选自于Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、Pt/Ni/Au、Mo/Au、以及Co/Au所构成材料群组中的一种材料;该每一个氮化铟镓量子井中所掺杂预定种类之元素为锌。 |
