可防止化学机械式研磨导致对准标记污染的半导体制程

摘要

一种可防止化学机械式研磨导致对准标记污染的半导体制程，可以避免化学机械式研磨后，研磨剂与副产品残留在对准标记的凹槽内，藉以克服在对准时所产生的讯号错误的问题。其主要系在对钨进行化学机械式研磨之前，先在对准标记上镀上一层可移除的薄膜材料。如此，在研磨之后,虽然有部分研磨剂与副产品残留在凹槽内，但只要再将上述可移除的薄膜材料移除，即可同时将残留的部分研磨剂与副产品清除乾净。

主权项

1.一种可防止化学机械式研磨导致对准标记污染的半导体制程,包括下列步骤:(i)在一具有对准标记的晶圆上镀上一金属层;(ii)在上述金属层之上形成一层易流动之材料;(iii)对上述金属层进行化学机械式研磨;及(iv)移除上述易流动之材料,藉以将残留于上述对准标记之凹槽中的上述化学机械式研磨所使用的研磨剂,自凹槽中清除。2.如申请专利范围第1项的半导体制程,其中,上述金属层为钨。3.如申请专利范围第1项的半导体制程,其中,上述易流动之材料为光阻、旋布玻璃或是旋布高分子材料4.如申请专利范围第1项的半导体制程,其中,上述对准标记的凹槽宽度约为2-8m。5.如申请专利范围第1项的半导体制程,其中,上述金属层的厚度约为4000埃。6.如申请专利范围第1项的半导体制程,其中,上述易流动之材料的厚度约为1000至4000埃。