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发明名称 A METHOD FOR PROGRAMMING A SINGLE EPROM OR FLASH MEMORY CELL TO STORE MULTIPLE LEVELS OF DATA THAT UTILIZES A FORWARD-BIASED SOURCE-TO-SUBSTRATE JUNCTION
摘要
申请公布号 KR100271049(B1) 申请公布日期 2000.11.01
申请号 KR19967005925 申请日期 1996.10.22
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 BERGEMONT, ALBERT;CHI, MIN HWA
分类号 G11C11/56;G11C16/10;(IPC1-7):G11C11/56 主分类号 G11C11/56
代理机构 代理人
主权项
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