| 发明名称 | 声表面波元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种声表面波元件的制造方法,包含以下步骤:设置具有叉指式换能器的压电基片,所述叉指式换能器具有比所述压电基片更高的密度;同时离子轰击所述叉指式换能器和所述压电体,以便减小叉指式换能器和压电体的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1271996A | 申请公布日期 | 2000.11.01 |
| 申请号 | CN00108182.9 | 申请日期 | 2000.04.28 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 高田英一;山本康治;米田年麿;门田道雄 |
| 分类号 | H03H3/08 | 主分类号 | H03H3/08 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种声表面波元件的制造方法，其特征在于包含以下步骤：设置具有叉指式换能器的压电基片，所述叉指式换能器具有比所述压电基片更高的密度；同时离子轰击所述叉指式换能器和所述压电体。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||