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发明名称 METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
摘要
申请公布号 KR100270962(B1) 申请公布日期 2000.11.01
申请号 KR19980035221 申请日期 1998.08.28
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, JIN-HYUN;LEE, TEA-CHEOL
分类号 H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
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