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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kupferverdrahtung in einer Halbleitervorrichtung. Die Erfindung beschreibt ferner ein Verfahren für eine Kupferverdrahtung in einer Halbleitervorrichtung, das nicht nur eine Wiederholbarkeit des Kupferablagerungsprozesses realisieren kann, sondern einen dünnen Kupferfilm von hervorragender Qualität erzeugt, da mit der Erfindung eine perfekte Obeflächenabsorptionsreaktion bei der Kupferablagerung hervorrgerufen werden kann, indem optimale Ablagerungsprozessbedingungen für eine Kupfer-Ablagerungsausrüstung eingestellt werden und eine MOCVD-Prozesstechnologie unter Verwendung von 1,1,1,5,5,5-hexafluor-2,4-pentadionat(vinyltrimethoxysilan)-Kupfer(I)- DOLLAR A Verbindung als Kupfer-Vorläuferstoff eingesetzt wird.
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