| 发明名称 | 注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种利用氟离子的注入以避免器件有源区形成凹洞的半导体器件的制造方法，其步骤包含有，形成衬垫层于硅基片上，在衬垫层上沉积一多晶硅缓冲层，注入氟离子至多晶硅缓冲层，沉积一氧化硅层，限定器件有源区，形成场氧化物层，去除氮化硅层，干蚀刻多晶硅缓冲层，及蚀刻衬垫层，以露出有源区硅基片表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1057870C | 申请公布日期 | 2000.10.25 |
| 申请号 | CN95121117.X | 申请日期 | 1995.12.20 |
| 申请人 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 发明人 | 庄敏宏;王志贤;倪诚聪 |
| 分类号 | H01L21/8232;H01L21/265 | 主分类号 | H01L21/8232 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1.一种注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法，其步骤包含：在硅基片上形成氧化硅衬垫层；在该衬垫层上沉积一多晶硅缓冲层；将氟离子注入该缓冲层；沉积一氮化硅层；限定器件有源区；形成场氧化物层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市科学工业园区 | ||