发明名称 使用晶胞测试模型估测铁电记忆装置之方法
摘要 一种使用晶胞测试模型估测一铁电记忆装置之方法;使用其中具有和一主晶胞之铁电电容器之形状有相同形状的多个铁电电容器被并联连接之晶胞测试摸型,该铁电电容器之极化特性被测试,及该主晶胞之性能系利用该等极化特性而被估计。
申请公布号 TW409255 申请公布日期 2000.10.21
申请号 TW087105499 申请日期 1998.04.10
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 伸东原;李镇宇
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种铁电记忆装置估测方法,该铁电记忆装置具有一晶胞阵列区在该晶胞阵列区中各包括一铁电晶胞电容器和一存取电晶体的多个主记忆晶胞成一矩阵安排,一参考晶胞阵列区包括有多个参者晶胞、及藉由接收感应于该等主晶胞之一位元线的一电压和感应于该等参者晶胞之一位元线的一电压以输出储存在该等主晶胞中之资讯的多个感测放大器,该估测方法包含下列步骤:(a)在一半导体晶圆上形成多个晶胞测试模型,其中各晶胞测试模型都具有被并联连接的多个铁电电容器;(b)测试构成各晶胞测试模型的该等铁电电容器之极化特性;(c)从该等极化特性计算该感测放大器之输入资料;及(d)将该感测放大器之输入资料与该感测放大器之一感测极限作比较。2.依据申请专利范围第1项之估测方法,其中在步骤(d)后,如果该感测放大器之该输入资料大于或等于该感测放大器之该感测极限,则该铁电记忆装置之一交流电流(AC)测试即被实施,否则该铁电记忆装置之该AC测试即被跳过。3.依据申请专利范围第1项之估测方法,其中在各晶胞测试模型上被测试的该等极化特性系该铁电电容器之一交换电荷、一非交换电荷及最大残余极化量。4.依据申请专利范围第3项之估测方法,其中该交换电荷系在用以反转储存在该铁电电容器中的资讯之一脉波讯号被施加于该晶胞测试模型时的该铁电电容器之电荷量,该非交换电荷系在用以维持储存在该铁电电容器中的资讯之一脉波讯号被施加于该晶胞测试模型时的该铁电电容器之电荷量,且该最大残余极化量系在用以反转储存在该铁电电容器中的资讯之一脉波讯号被施加于该晶胞测试模型后留存在该铁电电容器中的极化量。5.依据申请专利范围第4项之估测方法,其中该感测放大器之输入资料系藉由从该交换电荷减除该交换电荷和该非交换电荷之平均値而获得。6.依据申请专利范围第4项之估测方法,其中试感测放大器之输入资料系藉由从该最大残余极化量减除该最大残余极化量之一半而获得。7.依据申请专利范围第1项之估测方法,其中该感测放大器之该感测极限系能够被该感测放大器检测的最小电荷量。图式简单说明:第一图系一铁电介电膜之一典型磁滞回路;第二图系具有一个一般铁电记忆装置的一单元晶胞之一电路的部分图;第三图系根据本发明一铁电记忆晶胞测试模型之一等效电路图;第四图陈示说明使用第三图之晶胞测试模型的一种量测一铁电电容器之极化量的方法之波形;及第五图系根据本发明说明一种估测一半导体记忆装置的方法之一流程图。
地址 韩国