| 主权项 |
1.一种形成在基片上之构造,该基片具有一第一面,或正面,及一第二面,或背面,且由一打算藉反应剂蚀刻之基片材料所形成,此构造含有至少一第一外部层,或钝化层,其具有一第一弹性特性,其中该构造尚含有至少一第二外部层,形成于第一层之上,使得该第二层具有一相异于该第一弹性特性之第二弹性特性。2.如申请专利范围第1项之构造,其中该第二弹性特性提供该第二层具有在压缩中大于该第一层之弹性。3.如申请专利范围第1项之构造,其中该第一层系形成使不覆盖至少一由可藉该反应剂来蚀刻之材料所形成之区域,及其中该构造之第二层覆盖该区域。4.如申请专利范围第1项之构造,尚含有一黏着增进层,形成于该第一层与该第二层之间。5.如申请专利范围第4项之构造,其中该黏着增进层系由来自TEOS(四乙氧基矽烷)溶液之氮化矽所形成。6.如申请专利范围第1项之构造,其中该第一层系形成使覆盖至少一由可藉该反应剂来蚀刻之材料所形成之区域,及其中该第二层之正面在该区域上为平面。7.如申请专利范围第1项之构造,其中该第一及第二层系由诸如氮化矽及矽之氮氧化物之至少一材料所形成。8.一种用以制造如申请专利范围第1项之构造的方法,其中该方法可含有有诸步骤,以形成至少一中间层于该基片之正面上来组成,该方法包含一序列之连续步骤,其中-一第一步骤,含有形成该第一层于该基片之正面上;-一第二步骤,含有形成该第二层于该第一层之正面上;-一第三步骤,含有形成一配置有一窗口之遮罩层于该基片之背面上;以及-一第四步骤,含有以该反应剂来蚀刻该基片之背面之未覆盖部分。9.如申请专利范围第8项之方法,用以制造如申请专利范围第4项之构造,其中该方法尚包含一第五步骤,其在该第一步骤之后而在该第二步骤之前,该第五步骤含有形成该黏着增进层于该第一层之正面上。10.如申请专利范围第8项之方法,用以制造如申请专利范围第6项之构造,其中该第一步骤系由一第六步骤所替换,该第六步骤含有形成该第一层于该基片之正面上,此得此层覆盖该基片之正面;及其中尚包含一第七步骤,其在该第二步骤之后而在该第三步骤之前,该第七步骤含有形成一口径之区域于该第二层之中,在该区域之上。11.一种用以制造如申请专利范围第1项之构造的方法,该方法具有一序列之连续步骤,包含:-一第一步骤,含有先形成该第一层,接着形成该第二层,使得该第一及第二层未覆盖该基片之一部分正面;以及-一第二步骤,含有以该反应剂来蚀刻该基片之未覆盖之部分的正面。图式简单说明:第一图显示已述之习知压力感知器之概略横截面图;第二图显示根据本发明之构造之较佳实施例;第三图显示有关残留应力作为不同功率百分比値之函数的实验资料,及该资料之线性消退;第四图显示第二图构造之第一选择性实施例;第五图显示第二图构造之第二选择性实施例;以及第六图A至第六图G显示在制造期间第二图构造之概略横截面图。 |
