| 主权项 |
1.一种改善抗反射(ARC)膜层安定度的方法,适用于一ARC膜层,该ARC膜层包括一SiON表面,其中该SiON表面具有复数个未完全键结,该改善抗反射膜层安定度的方法包括:利用一含氧电浆迅速处理该SiON表面,以使该些未完全键结足以链结完全。2.如申请专利范围第1项所述之改善抗反射膜层安定度的方法,其中处理该SiON表面所需的时间约为2秒。3.如申请专利范围第1项所述之改善抗反射膜层安定度的方法,其中该含氧电浆包括氧(O2)。4.如申请专利范围第1项所述之改善抗反射膜层安定度的方法,其中该含氧电浆包括一氧化二氮(N2O)。5.一种改善抗反射(ARC)膜层安定度的方法,适用于一ARC膜层,该ARC膜层包括一SiON表面,其中该SiON表面具有复数个末完全键结,该改善抗反射膜层安定度的方法包括:利用一含氧电浆迅速处理该SiON表面,以形成一薄氧化层,其中该薄氧化层的厚度足使该些未完全键结得以键结完全。6.如申请专利范围第5项所述之改善ARC膜层安定度的方法,其中该氧化层的厚度约为50埃。7.如申请专利范围第5项所述之改善ARC膜层安定度的方法,其中该含氧电浆包括氧(O2)。8.如申请专利范围第5项所述之改善ARC膜层安定度的方法,其中该含氧电浆包括一氧化二氮(N2O)。9.如申请专利范围第5项所述之改善ARC膜层安定度的方法,其中处理该SiON表面所需的时间约为2秒。10.一种抗反射膜层的制造方法,包括:沈积一SiON层;以及利用一含氧电浆处理该SiON层表面约2秒,以于该SiON层上形成一层厚度约为50埃之氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之抗反射膜层的制造方法,其中该含氧电浆包括氧(O2)。12.如申请专利范围第10项所述之抗反射膜层的制造方法,其中该含氧电浆包括一氧化二氮(N2O)。图式简单说明:第一图绘示习知不同的顶盖层彼此反射率衰减的情形比较图;以及第二图绘示SiON层表面分子结构示意图。 |
