| 主权项 |
1.一种电容器下电极之制造方法,其适用于一基底,该基底上形成有一接着垫、位于接着垫上方之一第一介电层以及穿透该第一介电层与该接着垫连接之一节点接触,其方法包括:于该第一介电层以及该节点接触上形成一第二介电层;于该第二介电层上形成一第三介电层;于该第三介电层上形成一第四介电层;于该第四、该第三以及该第二介电层中,形成一沟渠,该沟渠裸露出该节点接触之表面;于该第四介电层上以及该沟渠之一底部与一周围侧壁上形成一导电层;于该导电层上形成一第五介电层,该第五介电层填满该沟渠;剥除部分该第五介电层以及部分该导电层直到裸露出该第四介电层之表面;以及剥除该第四介电层以及位于该沟渠中剩余之该第五介电层。2.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中该第三介电层对于该第四介电层具有较大的蚀刻选择比。3.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中该第三介电层材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中形成该第三介电层之方法包括化学气相沉积法。5.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中该第三介电层之厚度约为300埃。6.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中该第四介电层之材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中形成该第四介电层之方法包括化学气相沉积法。8.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中剥除部分该第五介电层以及部分该导电层之方法包括化学机械研磨法。9.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中剥除该第四介电层以及位于该沟渠中剩余之该第五介电层之方法包括乾式蚀刻法。10.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极之制造方法,其中剥除该第四介电层以及位于该沟渠中剩余之该第五介电层之方法包括湿式蚀刻法。11.一种电容器下电极之制造方法,其适用于一基底,该基底上形成有一接着垫、位于接着垫上方之一第一介电层以及穿透该第一介电层与该接着垫连接之一节点接触,其方法包括:于该第一介电层以及该节点接触上依序形成一第二介电层、一第三介电层以及一第四介电层;形成一沟渠,该沟渠穿透该第四、该第三以及该第二介电层并且裸露出该节点接触之表面;于该沟渠之一底部与一周围侧壁上形成一导电层;于该导电层上形成一第五介电层,该第五介电层填满该沟渠;以及剥除该第四介电层以及该第五介电层。12.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中该第三介电层对于该第四介电层具有较大的蚀刻选择比。13.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中该第三介电层材质包括氮化矽。14.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中形成该第三介电层之方法包括化学气相沉积法。15.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中该第三介电层之厚度约为300埃。16.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中该第四介电层之材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中形成该第四介电层之方法包括化学气相沉积法。18.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中剥除部分该第五介电层以及部分该导电层之方法包括化学机械研磨法。19.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中剥除该第四介电层以及位于该沟渠中剩余之该第五介电层之方法包括乾式蚀刻法。20.如申请专利范围第11项所述之电容器下电极之制造方法,其中剥除该第四介电层以及位于该沟渠中剩余之该第五介电层之方法包括湿式蚀刻法。图式简单说明:第一图,系显示习知一种动态随机存取记忆体之下电极的剖面示意图;以及第二图A至第二图E所示,为根据本发明一较佳实施例之电容器下电极的制造流程剖面图。 |
