| 主权项 |
1.一种改善高密度电浆沉积层之线-线电容値一致性的方法,其特征为在高密度电浆沉积层形成于一基底表面时,增加该基底背面之散热气体的流量及流量的分布均匀度,以有效降低该基底的温度及改善该高密度电浆沉积层的温度一致性。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该散热气体至少包含有一内圈散热气体以及一外圈散热气体。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该散热气体为钝气。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该散热气体为氮气。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该散热气体为惰气。6.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该内圈散热气体之流量可为0-10 torr。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该外圈散热气体之流量可为0-10 torr。8.一种改善高密度电浆沉积的氟掺杂矽玻璃层(HDP-FSG)之线-线电容値一致性的方法,其特征如申请专利范围第1项所述。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该散热气体至少包含有一内圈散热气体以及一外圈散热气体。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该散热气体为钝气。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该散热气体为氮气。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该散热气体为惰气。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该内圈散热气体之流量可为0-10 torr。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该外圈散热气体之流量可为0-10 torr。15.一种改善高密度电浆沉积的磷掺杂矽玻璃层(HDP-PSG)之线-线电容値一致性的方法,其特征如申请专利范围第1项所述。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该散热气体至少包含有一内圈散热气体以及一外圈散热气体。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该散热气体为钝气。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该散热气体为氮气。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该散热气体为惰气。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该内圈散热气体之流量可为0-10 torr。21.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该外圈散热气体之流量可为0-10 torr。 |
