等离子体加工方法和等离子体加工装置

摘要

提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在２０到４５０兆赫的高频电力，同时把范围在３０到３００Ｖ或－３０到－３００Ｖ的直流电压和／或范围在３０到６００Ｖ的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工（比如薄膜制作）条件允许的范围和装置设计的允许范围。

主权项

1.一种用于形成沉积薄膜的等离子体加工方法，它包括把一块被加工的基底用作第一电极，并包括与所述的基底相对着的设在连接到一个抽空装置和一个源气体供应装置上的一个室中的第二电极，把频率范围为20到450兆赫的高频电力加上在第一电极与第二电极之间产生等离子体放电，从而把引入该室中的源气体分解，使基底受到等离子体加工，其中把一个100-300V或-300--100V的直流电压和/或一个30V-600V的交流电压施加到第一电极上。