| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 不会增加电阻和降低抗EM能力及引起Al凝结的在高宽比高的连接孔内形成Al镶嵌布线的技术。通过形成覆盖连接孔及布线沟(凹部)的内表面的Nb衬膜6,利用溅射在Nb衬膜6上形成不填充凹部内部的第一Al膜7,使其表面吸附氧气8,边加热Si衬底1边在包含凹部的区域上形成第二Al膜而以第一及第二Al膜7填充凹部内部,最后利用CMP去除凹部外部剩余的第一及第二Al膜7。 | ||
| 申请公布号 | CN1267912A | 申请公布日期 | 2000.09.27 |
| 申请号 | CN00104393.5 | 申请日期 | 2000.03.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 及川靖;和田纯一;坚田富夫 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/283 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于包括：在半导体衬底的一个主表面上形成的具有凹部的层间绝缘膜，在上述凹部内部形成的衬膜，在上述凹部的内部通过上述衬膜填充的布线层，以及包含在上述布线层内部的抑制上述布线层的构成导电膜的凝结的凝结抑制材料。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||