| 摘要 |
记忆体单胞包括至少一个电晶体(T)和一个电容器(Ko),电容器(Ko)是与上部位线(B2)相连接。电容器(Ko)包括一个电容器第一电极(Sk),其是配置在电晶体(T)上方且与电晶体(T)相连接。由于宽度不同之互相垂直延伸之沟渠(Gl,G2)(此二种沟渠是配置在电容器第一电极(Sk)之间),因此上部位元线(B2)能以自动对准之方式产生。,每一电容器第一电极(Sk)之至少一部份可由层(S)所产生,层(S)是藉由沟渠(G1,G2)来进行结构化。沟渠(G1)可藉由间隔层(Sp)而变窄。 |
| 主权项 |
1.一种DRAM单胞配置,其特征为:-电容器第一电极(Sk)是电容器(Ko)之一部份,-电容器第一电极(Sk)之边缘设有电容器介电质(Kd),-有一条与电容器(Ko)相连接之上部位元线(B2),其是作为电容器第二电极且以环形方式围绕上述设有电容器介电质(Kd)之电容器第一电极(Sk),-电晶体(T)配置在电容器(Ko)下方且是与电容器第一电极(Sk)相连接,-第一沟渠(G1)(其配置在沿着上部位元线(B2)而相邻之电容器第一电极(Sk)之间)较第二沟渠(G2)(其配置在垂直于上部位元线(B2)而相邻之电容器第一电极(Sk)之间)还狭窄。2.如申请专利范围第1项之DRAH单胞配置,其中相邻之第一沟渠(G1)之中央线之间的间距是等于相邻之第二沟渠(G2)之中央线之间的间距。3.如申请专利范围第1或第2项之DRAH单胞配置,其中上部位元线(R2)覆盖电容器第一电极(Sk)。4.一种DRAM单胞配置之制造方法,其特征为:-须在电晶体(T)上方产生电容器第一电极(Sk)以作为电容器(Ko)之一部份,此第一电极(Sk)是与电晶体(T)相连接,-电容器第一电极(Sk)之边缘设有电容器介电质(Kd),-须产生一条与电容器(Ko)相连接之上部位元线(B2),使其以环形方式围绕上述设有电容器介电质(Kd)之电容器第一电极(Sk),-须产生一些基本上互相平行延伸之第一沟渠(G1),-须产生一些垂直于第一沟渠(G1)而互相平行延伸之第二沟渠(G2),-须产生第一沟渠(G1)和第二沟渠(G2),使第一沟渠(G1)较第二沟渠(G2)狭窄,-藉由材料之沈积以及非等向性之蚀刻而以自动对准之方式产生一些平行于第二沟渠(G2)而延伸上部位元线(B2)。5.如申请专利范围第4项之方法,其中-第一沟渠(G1)是产生于一些即将产生之电容器第一电极(Sk)之间,这些电容器第一电极(Sk)是沿着即将产生之上部位元线(B2)而互相邻接,-须在一个层(S)中产生第一沟渠(G1),使第一沟渠(G1)切割此层(S),-须沈积材料且对此材料进行回蚀刻而产生间隔层(Sp),这些间隔层(Sp),这些间隔层(Sp)使第一沟渠(G1)变窄,-第二沟渠(G2)是产生于一些即将产生之电容器第一电极(Sk)之间,这些电容器第一电极(Sk)垂直于即将产生之上部位元线(B2)而互相邻接,-须在一个层(S)中产生第二沟渠(G2),第二沟渠(G2)切割此层(S)且较由于上述间隔层(Sp)而变窄之第一沟渠(G1)还宽,-每一电容器之第一电极(Sk)之至少一部份是由层(S)所产生,层(S)是藉由第一沟渠(G1)和第二沟渠(G2)之产生而被结构化,-须产生电容器介电质(Kd),-以自动对准之方式产生上部位元线(B2),其中须沈积一种材料至某种厚度,使第一沟渠(G1)被填满,但第二沟渠(G2)中不填入此种材料,然后藉由此种材料之非等向性蚀刻而使电容器介电质(Kd)之位于第二沟渠(G2)中之此一部份裸露出来,这样就可使上部位元线(B2)平行于第二沟渠(G2)而延伸。6.如申请专利范围第4或第5项之方法,其中-在产生电容器介电质(Kd)之后须沈积第一种材料,此种材料填入第一沟渠(G1)中,但不填入第二沟渠(G2)中,-须沈积第二种材料,使第一辅助结构(H1)填入第二沟渠(G2)中,-须对第二种材料进行蚀刻直至第一种材料之一部份裸露存第二沟渠(G2)外部以及第二沟渠(G2)之边缘区域中为止,-第二辅助结构(H2)是由第一种材料之裸露部份之一部份所产生,-去除第一辅助结构(H1),-以选择性地对第二辅助结构(H2)之方式来对第一种材料进行蚀刻直至产生互相隔离之上部位元线(B2)为止。图式简单说明:第一图系在第一沟渠和间隔层产生之后,沈积于具有接触区之隔离结构上之此种层之横切面图;此图显示下部位元线以及各电晶体之位置;下部位元线以及各电晶体之位置在以下各图中不再显示。第二图系在产生第二沟渠且由此层产生电容器第一电极之后此层之与第一图之横切面相垂直之横切面。第三图a系进行第二图所示之制程之后且在产生电容器介电质,薄层以及第一辅助结构之后第一图之横切面。第三图b系在进行第三图a之制程之后第二图之横切面图。第四图系在产生第二辅助结构,去除第一辅助结构以及产生上部位元线之后第三图b之横切面图。第五图系在进行第四图之制程之后此层之与第三图a之横切面及第三图b之横切面均互相垂直之横切面图。 |
