| 主权项 |
1.一种具有多种植入条件之晶片的制造方法,包括下列步骤:a.提供一半导体基底,该半导体基底上已形成一介电层;b.定义该介电层以形成一第一开口,并且暴露出该半导体基底;c.进行一离子植入制程,在该第一开口暴露出之该半导体基底上植入一第一掺质;d.定义该介电层以形成一第二开口,以该第二开口取代该第一开口,以一第二掺质取代该第一掺质,重复步骤b至步骤c;以及e.当不需再对该晶片进行该离子植入制程时,进行一热处理制程,以活化所植入之该些掺质。2.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中形成该介电层的方法包括电浆化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中该介电层的材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中该介电层的材质包括二氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中该第一掺质包括砷离子。6.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中该第二掺质包括硼离子。7.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中该些掺质之剂量相异。8.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中该些掺质之能量相异。9.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中该些掺质系由不同之离子植入机所植入的。10.如申请专利范围第1项所述之具有多种植入条件之晶片的制造方法,其中该热处理制程包括回火制程。图式简单说明:第一图A-第一图E绘示的是依照本发明一较佳实施例的一种具有多种植入条件之晶片的制造流程剖面图;以及第二图A-第二图C绘示的是依照本发明一较佳实施例的一种分别具有不同植入条件之晶片的示意图。 |
