| 主权项 |
1.一种雷射处理装置,包含:一传送室,具有用以传送半导体薄膜的机构;一第一加热室,具有可加热半导体薄膜至所要温度的机构;一雷射处理室,具有于加热该半导体薄膜的同时对在第一加热室中已加热之半导体薄膜照射雷射光之机构;一第二加热室,具有对在雷射处理室中照射过雷射光之半导体薄膜热处理的机构;所述第一加热室、第二加热室与雷射处理室经由传送室而连接在一起,及该半导体薄膜于被以雷射光照射时,系被保持于想要温度之100度之内。2.一种雷射处理装置,包含:以具有线形剖面之雷射光而以第一角度来照射半导体薄膜,并同时加热该半导体薄膜并以雷射光对半导体薄膜扫描该与雷射光线性剖面纵向呈垂直方向的机构;以及旋转半导体薄膜90度的机构;其中所述半导体薄膜由旋转机构作90度旋转,接着该具有线形剖面之雷射光以与第一角度相差90度的第二角度导引至半导体薄膜上。3.一种雷射处理装置,包含:以具有线形剖面之雷射光而以第一角度来照射半导体薄膜,并同时加热该半导体薄膜并使雷射光对半导体薄膜之扫描方向与雷射光剖面纵向呈垂直的机构;以及用以旋转半导体薄膜的机构;其中所述半导体薄膜由旋转机构旋转,接着该具有线形剖面之雷射光以与第一角度不同的第二角度导引至半导体薄膜上。4.一种雷射处理装置,包含:一雷射光照射室,具有以线形剖面之雷射光来照射基体,并同时加热半导体薄膜并使雷射光对半导体薄膜之扫描方向与雷射光剖面纵向成垂直的机构;一半导体薄膜旋转室,具有用以旋转半导体薄膜的机构;以及一个与上述雷射光照射室和半导体薄膜旋转室连接的传送室,具有用以传送半导体薄膜的传送机构,其中于半导体薄膜以第一角度照射到雷射光时,传送机构便将基体传送至旋转室,而由旋转机构旋转,接着传送机构再将半导体薄膜传送至雷射光照射室,使雷射光从一个与第一角度不同的角度扫描至半导体薄膜上。5.一种雷射处理装置,包含:用以加热一半导体薄膜之机构;用以产生具有线性剖面雷射光之机构;用以以该雷射光照射该半导体薄膜同时加热该半导体薄膜之机构;及用以旋转该半导体薄膜之机构。6.一种雷射处理装置,包含:以加热来结晶化一矽膜之机构;以具有一线性剖面之雷射光来照射该结晶化矽膜之机构;及用以热处理该已被雷射光照射之矽膜之机构;及于以雷射光照射矽膜时,矽膜系被保持于用以结晶矽膜之加热温度之100度之内。7.一种雷射处理系统,包含:以具有线形剖面之雷射光来照射半导体薄膜至少两次的机构,同时加热该半导体薄膜并以具有线形剖面之雷射光对半导体薄膜扫描与雷射光剖面纵向成垂直,而完成第一与第二次扫描。图式简单说明:第一图为本创作第一实施例之电射处理系统的顶面图;第二图为第一实施例之雷射处理系统的剖面图;第三图为第一实施例之雷射处理系统的剖面图;第四图为第一实施例之雷射处理系统的方块图;第五图为第一实施例雷射处理系统之雷射光学系统的射线图;第六图A-第六图C为剖面图,示出在本创作第二实施例中,于基体上形成结晶矽膜的步骤;第七图A-第七图C为剖面图,示出在第二实施例中,用以形成薄膜电晶体的步骤;第八图A-第八图C为剖面图,示出在本创作第三实施例中,于基体上形成结晶矽膜的步骤;第九图A-第九图D为剖面图,示出在第三实施例中,用以形成薄膜电晶体的步骤;第十图A-第十图C为剖面图,示出在本创作第四实施例中,于基体上形成结晶矽膜的步骤;第十一图为本创作第五实施例之液晶显示器的概视方块图;第十二图A-第十二图D为剖面图,示出在本创作第六实施例中,于基体上形成结晶矽膜的步骤;第十三图A-第十三图D为剖面图,示出在本创作第七实施例中,于基体上形成结晶矽膜的步骤;第十四图A-第十四图C为剖面图,示出在第七实施例中,用以形成薄膜电晶体的步骤;第十五图A-第十五图D为剖面图,示出在本创作第八实施例中,于基体上形成结晶矽膜的步骤;第十六图A-第十六图D为剖面图,示出在第八实施例中,用以形成薄膜电晶体的步骤;第十七图A-第十七图D为剖面图,示出在本创作第九实施例中,于基体上形成结晶矽膜的步骤;第十八图为本创作第十实施例之雷射处理系统的顶面图;第十九图为第十实施例之雷射处理系统的剖面图;第二十图为第十实施例之雷射处理系统的剖面图;第二十一图为本创作第十一实施例之雷射处理系统的顶面图;第二十二图示出照射电射光之非晶矽膜的拉曼频谱强度与入射至矽膜上的雷射光强度间的关系(相对値);第二十三图示出照射电射光之非晶矽膜的拉曼频谱强度与入射至矽膜上的雷射光强度间的半値宽度(相对値);第二十四图列示结晶矽膜制造条件与结晶矽膜旋转密度间的关系;第二十五图为雷射处理装置的顶面图;第二十六图为雷射处理装置的剖面图;第二十七图为雷射处理装置的剖面图。 |
