| 主权项 |
1.一种双准位光罩之制造方法,包括下列步骤:在一玻璃片上,沈积一不透光层;对该不透光层进行图形定义;于该不透光层与该玻璃片上,再沈积一可切换透光层;对该可切换透光层进行图形定义;以及于该可切换透光层,该不透光层与该玻璃片上,再沈积一保护层。2.如申请专利范围第1项所述之双准位光罩之制造方法,其中该不透光层系由一铬所构成。3.如申请专利范围第1项所述之双准位光罩之制造方法,其中该可切换透光层系为一液晶所构成。4.如申请专利范围第3项所述之双准位光罩之制造方法,其中该液晶所造成可切换透光系由一切换温度控制,当超过该切换温度,该液晶无法透光,当低于该切换温度时,该液晶可以透光。5.如申请专利范围第4项所述之双准位光罩之制造方法,其中该切换温度为29.9℃。6.如申请专利范围第4项所述之双准位光罩之制造方法,其中该液晶可外加一磁场以控制低于该切换温度时之透光性。7.如申请专利范围第4项所述之双准位光罩之制造方法,其中该液晶可外加一电场以控制低于该切换温度时之透光性。8.如申请专利范围第1项所述之双准位光罩之制造方法,其中该保护层系由二氧化铬所形成。9.一种双准位光罩之使用方法,包括下列步骤:对一光阻上,使用该双准位光罩于一切换温度上进行显影,用以在该光阻上形成一介层窗口;改变温度到该切换温度之下,再对该光阻以该双准位光罩进行显影,用以在该光阻上形成一沟渠;利用该光阻进行对一内金属介电层蚀刻,用以在该内金属介电层上形成该介层窗口与该沟渠;以及对该内金属介电层上之该介层窗口与该沟渠填入金属。10.如申请专利范围第9项所述之双准位光罩之使用方法,其中该双准位光罩设计有一液晶,当在该切换温度之上,该液晶无法透光,当低于该切换温度时,该液晶可以透光。11.如申请专利范围第10项所述之双准位光罩之使用方法,其中该切换温度为29.9℃。12.如申请专利范围第10项所述之双准位光罩之使用方法,其中该液晶可外加一磁场以控制低于该切换温度时之透光性。13.如申请专利范围第10项所述之双准位光罩之制造方法,其中该液晶可外加一电场以控制低于该切换温度时之透光性。14.一种双准位光罩之使用方法,包括下列步骤:对一光阻上,使用该双准位光罩于一切换温度下进行显影,用以在该光阻上形成一沟渠;改变温度到该切换温度之上,再对该光阻以该双准位光罩进行显影,用以在该光阻上形成一介层窗口;利用该光阻进行对一内金属介电层蚀刻,用以在该内金属介电层上形成该介层窗口与该沟渠;以及对该内金属介电层上之该介层窗口与该沟渠填入金属。15.如申请专利范围第14项所述之双准位光罩之使用方法,其中该双准位光罩设计有一液晶,当在该切换温度之上,该液晶无法透光,当低于该切换温度时,该液晶可以透光。16.如申请专利范围第15项所述之双准位光罩之使用方法,其中该切换温度为29.9℃。17.如申请专利范围第15项所述之双准位光罩之使用方法,其中该液晶可外加一磁场以控制低于该切换温度时之透光性。18.如申请专利范围第15项所述之双准位光罩之使用方法,其中该液晶可外加一电场以控制低于该切换温度时之透光性。图式简单说明:第一图A-第一图F绘示传统金属双重镶嵌之制作流程图;第二图绘示依照本发明一较佳实施例的一种双准位光罩结构图;第三图绘示高于切换温度所呈现等向性(Isotropic)相;第四图绘示低于切换温度所呈现向列性(Nematic)相;第五图A到第五图C中,说明本发明之双准位光罩之制造方法流程图;第六图A-第六图D中绘示本发明之双准位光罩之使用方法的流程图;以及第七图A到第七图D绘示本发明之双准位光罩之另一种使用方法的流程图。 |
