| 主权项 |
1.一种具金属闸极之电晶体制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基板并于该半导体基板上形成一遮蔽层;定义该遮蔽层至该半导体基板以形成一凹槽,界定出该电晶体之金属闸极之范围;于该凹槽内形成一闸极绝缘层;于该凹槽内之该闸极绝缘层上形成该电晶体之金属闸极;移除该遮蔽层;以及于该金属闸极两侧之半导体基板中形成汲极与源极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在形成该遮蔽层之前更包括沈积一衬垫层于该半导体基板之表面。3.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中,该半导体基板系为矽基板。4.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中,该遮蔽层系为氮化矽层,其厚度系介于1000-3000埃之间。5.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,该衬垫层系为垫氧化层,其厚度介于100-300埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该凹槽在该半导体基板中之深度约在100-1000埃之间。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该金属闸极之材料系为钨。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该闸极氧化层系为由热氧化法在该半导体基板之表面所形成之二氧化矽,其厚度介于1000-3000埃之间。9.一种具金属闸极之电晶体制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基板,并于该半导体基板上依序形成一衬垫层及一遮蔽层;定义该遮蔽层及衬垫层至该半导体基板以形成一凹槽,界定出该电晶体之金属闸极之范围;于该凹槽内形成一闸极绝缘层;于该凹槽内之该闸极绝缘层上形成该电晶体之金属闸极;移除该遮蔽层及该衬垫层;以及于该金属闸极两侧之半导体基板中形成汲极与源极。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该半导体基板系为矽基板。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该遮蔽层系为氮化矽层,其厚度系介于1000-3000埃之间。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该衬垫层系为垫氧化层,其厚度介于100-300埃之间。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该凹槽在该半导体基板中之深度约在100-1000埃之间。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该金属闸极之材料系为钨。15.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该闸极氧化层系为由热氧化法在该半导体基板之表面所形成之二氧化矽,其厚度介于1000-3000埃之间。16.一种具金属闸极之电晶体制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基板,并于该半导体基板上依序形成一衬垫层及一遮蔽层;定义该遮蔽层及衬垫层至该半导体基板以形成一凹槽,界定出该电晶体之金属闸极之范围;于该凹槽内形成一闸极绝缘层;于该凹槽内之该闸极绝缘层上形成该电晶体之金属闸极;移除该遮蔽层;于该金属闸极两侧之半导体基板中形成汲极与源极之淡掺杂区;于该金属闸极侧壁形成一绝缘间隔物;以及于该金属闸极之绝缘间隔物两侧之半导体基板中形成汲极与源极之浓掺杂区。17.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中,该形成绝缘间隔物之步骤包括:于该衬垫层表面形成一绝缘层;及对该绝缘层及衬垫层施以回蚀刻之步骤,以在该金属闸极侧壁形成绝缘间隔物及其下方覆盖之剩余衬垫层。图式简单说明:第一图为剖面图,系显示习知之形成自我对准金属矽化物之MOS电晶体;以及第二图A-第二图J为依据本发明之具有金属闸极之电晶体制造流程剖面图。 |
