| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Polymerstrukturen auf einem Substrat (30) mittels eines Ätzprozesses vorgeschlagen. Auf dem Substrat (30), das sich in einer Ätzkammer (12) einer Plasmaätzanlage (1) wie beispielsweise einer ECR-Plasmaätzanlage oder einer ICP-Plasmaätzanlage befindet, wird dazu zunächst ein Polymer (31) aufgebracht. Das nachfolgende Ätzen zur Herstellung der Polymerstrukturen in dem Polymer (31) auf dem Substrat (30) erfolgt dann bei einer Substrattemperatur von -30 °C bis -120 °C, vorzugsweise bei -65 °C. Als Ätzgas eignet sich vor allem ein sauerstoffhaltiges Ätzgas, insbesondere reiner Sauerstoff oder ein O2/He-Gemisch, bei einem Prozeßdruck von 0,2 νbar bis 10 νbar. Das vorgeschlagene Verfahren eignet sich besonders zum Herstellen von Polmerstrukturen mit hoher Auflösung und mit möglichst senkrechten und glatten Flanken.</p> |
