发明名称 薄膜钪系阴极及其制备方法
摘要 激光蒸发薄膜钪系阴极及其制备方法,属于电真空元器件领域,本发明提供了一种利用激光束,以一定的能量注射到真空系统中的旋转靶台上,靶由高纯度钨粉及氧化钪粉组成,靶材粒子受热气化蒸发到充满铝酸盐的多孔钨体压制的阴极基体上,形成一定的厚度的含钪薄膜,它即为高发射,低工作温度阴极的核心部分,可达到工作温度850℃—900℃情况下,发射电流密度为5—10/cm<SUP>2</SUP>的水平。
申请公布号 CN1056465C 申请公布日期 2000.09.13
申请号 CN94117523.5 申请日期 1994.10.25
申请人 电子工业部第十二研究所自动工程研究所 发明人 王亦曼;潘同武;张甫权
分类号 H01J1/20;H01J9/04;C23C14/00 主分类号 H01J1/20
代理机构 电子工业部专利服务中心 代理人 李勤媛
主权项 1、一种薄膜钪系阴极,由阴极支持筒、基底、含钪薄膜及间热式热子组成,其特征在于,基底是采用浸渍铝酸钡钙的多孔钨体制成,铝酸钡钙由摩尔比为4∶1∶1或5∶3∶2的BaO∶CaO∶AL2O3组成,含钪薄膜层覆盖在多孔钨体的表面上,该含钪薄膜层为钨与钪的氧化性化合物的混合膜。
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