| 主权项 |
1.一半导体包装包含:至少两半导体晶片,各有至少一突块;以及一脚架,其至少有一内脚连着该两晶片中的第一晶片之突块,也连着该两晶片中的第二晶片之突块。2.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中该第一晶片的突块与该第二晶片的突块互相面对。3.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中该突块系由焊料、金、镍、以及导电物质等之中至少选出一者所制成。4.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中若该突块系由焊料制成,则该脚架系由一种具有焊料润湿性(wettability)的材料制成。5.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中该脚架系由铁镍合金与铜合金中的任一者所制成。6.如申请专利范围第5项所述的半导体包装,其中该铜合金系合金42与C7025两者之一。7.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中每一该突块对应该脚架的一内脚。8.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中该第一晶片的突块与该第二晶片的突块分别由不同熔点的焊料所制成。9.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中该第一晶片与该第二晶片的突块系各由不同熔点的焊料所制成。10.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中该第一晶片的突块与该第二晶片的突块,系由熔点高于该包装注模温度(molding temperature)的焊料所制成,该注模温度系该包装被注模(mold)时的温度。11.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中该晶片至少有一金属垫,该金属垫上附着有焊料,该焊料系以电镀与网版印刷两种方式中的一者附着在该金属垫,然后以回焊形成至少一焊料突块。12.如申请专利范围第11项所述的半导体包装,更包含一金属层介于该焊料与该金属垫之间。13.如申请专利范围第1项所述的半导体包装,其中该内脚之宽度系不大于与该内脚连接前的突块之直径。14.一晶片包装方法,用于包装至少二半导体晶片,以及一具有至少一内脚的脚架,每一该晶片至少有一突块,该晶片包装方法包含下列步骤:(1) 连接该内脚到该二晶片中的第一晶片的突块;以及(2) 连接该二晶片中的第二晶片之突块到该内脚。15.如申请专利范围第14项所述之晶片包装方法,其中该突块系一焊料突块,而该内脚系以回焊方式,配合助熔剂与焊膏等之中的至少一者,连接该突块。16.如申请专利范围第15项所述的晶片包装方法,更包含一步骤:形成一防焊层以限制内脚藉由回焊方式连接该突块时所发生的焊料流动。17.如申请专利范围第16项所述的晶片包装方法,其中该防焊层系以网版印刷形成,而且其宽度至少为10微米,该内脚的一端到该防焊层的距离,系根据该内脚宽度与该突块的直径等两者之一而定。18.如申请专利范围第16项所述的晶片包装方法,其中该防焊层系以网版印刷形成,而且其宽度至少为10微米,该内脚的一端到该防焊层的距离,大约等于该内脚的宽度与该突块的直径两者之一。19.如申请专利范围第14项所述的晶片包装方法,若其中该第一晶片的突块与该第二晶片的突块系由相同的焊料制成,则该第一晶片的重量小于该第一晶片上的全部焊接区域所提供的表面张力。20.如申请专利范围第14项所述的晶片包装方法,若该突块系由焊料制成,则在该突块与该内脚连接时,更包含下列步骤之一:将助熔剂滴到该突块、以网版印刷方式将助熔剂印到该内脚要与该突块连接之部位;若该突块系由金(Au)制成,则另包含下列步骤之一:将一些含有锡(Sn)的焊膏回焊到该突块、使用导电胶到该突块后加热硬化。21.一半导体包装包含:至少一晶片,其至少有一突块,该突块系由焊料、金(Au)、镍(Ni)、以及导电物质等之中的至少一者所制成;以及一脚架,其至少有一内脚连到该突块,该内脚的宽度不大于该内脚连到该突块前该突块之直径。 |
