半导体晶圆清洗方法

摘要

一种半导体晶圆清洗方法，用以去除晶圆表面之微粒，其特征系在传统清洗制程之酸槽后之水槽加入NH40H，使微粒自晶圆表面脱离。本发明可适用于HF终结洗净，能够有效的减少微粒数量，且其形成之氧化物较薄，比较不会影响元件之电气特性，进而提高清洗制程之良率。

主权项

1.一种半导体晶圆清洗方法,其特征在于半导体晶圆经酸性溶液浸洗后,使用NH4OH/H2O之混合液清洗。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该酸性溶液为H2SO4/H2O2/H2O。3如申请专利范围第1项所述之方法,其中该酸性溶液为氢氟酸者。4.一种HF终结清洗方法,其特征在于半导体晶圆经氢氟酸浸洗后,使用NH4OH/H2O之混合液清洗。5.一种半导体晶圆之清洗方法,其特征在于半导体晶圆经H2SO4/H2O2/H2O浸洗后,使用NH4OH/H2O之混合液清洗。