| 主权项 |
1.一种互补式金氧半电晶体制程之制作方法,该方法至少包含:形成第一型离子井区与第二型离子井区于半导体基板之中;形成闸极氧化层于该基板之上;形成第一复晶矽层于该闸极氧化层之上;形成第一光阻于该第一复晶矽层之上;以该第一光阻为罩幕蚀刻该闸极氧化层与该第一复晶矽层,蚀刻完成后分别于第一型离子井区与第二型离子井区之上形成闸极结构;去除该第一光阻;形成多层复晶矽层于该基板及该第一复晶矽层之上;形成第二光阻于该多层复晶矽层以定义汲极/源极区域以及埋窗接触区域于该第一型离子井区;以该第二光阻做为罩幕蚀刻该多层复晶矽层、该第一复晶矽层以形成第一凹沟于该多层复晶矽层、该第一复晶矽层之中,该第一凹沟曝露位于第一型离子井区之部份该基板以及该部份该闸极氧化层;离子掺杂以形成具有光环掺杂之第二型轻微掺杂结构;以液态沈积(LPD)制程形成第一介电层于该第一凹沟之中;去除该第二光阻;形成第三光阻于该多层复晶矽层之上且覆盖该第二型离子井区;施以离子掺杂于该第一型离子区域上之该多层复晶矽层;去除该第三光阻;形成第四光阻于该多层复晶矽层以定义汲极/源极区域以及埋窗接触区域于该第二型离子井区;以该第四光阻做为罩幕蚀刻该多层复晶矽层、该第一复晶矽层以形成第二凹沟于该多层复晶矽层、该第一复晶矽层之中,该第二凹沟曝露位于第二型离子井区之部份该基板以及该部份该闸极氧化层;离子掺杂以形成具有光环掺杂之第一型轻微掺杂结构;以液态沈积(LPD)制程形成第二介电层于该第二凹沟之中;去除该第四光阻;形成第五光阻于该多层复晶矽层之上且覆盖该第一型离子井区;施以离子掺杂于位于该第二型离子区域上之该多层复晶矽层;去除该第五光阻;及施以热处理制程使得离子扩散进入该基板形成该埋窗接触。2.如申请专利范围第1项之方法更包含:形成一金属层于该多层复晶矽层、该第一介电层以及该第二介电层之上;及施以热处理以形成矽化金属于该多层复晶矽层之上。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之多层复晶矽层至少具有两层掺杂之复晶矽层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之多层复晶矽层至少具有三层未掺杂之复晶矽层。5.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之复晶矽层为轻微掺杂之复晶矽层。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之复晶矽层个别之厚度约为200至2000埃,掺杂之浓度约为1E18 atoms/cm3。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一型离子井区为P井,第二型离子井区为N井。8.如申请专利范围第7项之方法,其中形成上述之具有光环掺杂之第二型轻微掺杂结构更包含:掺杂第一型离子以形成该光环掺杂;及掺杂第二型离子以形成该第二型轻微掺杂结构。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第一型离子为硼离子。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第一型离子掺杂之能量约为10-50KeV,掺杂之剂量约为1E12-1E14 atoms/cm2。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第二型离子为砷离子。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第二型离子掺杂之能量约为10-50KeV,掺杂之剂量约为1E10-1E13 atoms/cm2。13.如申请专利范围第7项之方法,其中形成上述之具有光环掺杂第一型轻微掺杂结构更包含:掺杂第二型离子以形成该光环掺杂;及掺杂第一型离子以形成该第一型轻微掺杂结构。14.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第二型离子为磷离子。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之第二型离子掺杂之能量约为10-50KeV,掺杂之剂量约为1E10-1E13 atoms/cm2。16.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第一型离子为BF2+离子。17.如申请专利范围第16项之方法,其中上述之第二型离子掺杂之能量约为10-50KeV,掺杂之剂量约为1E12-1E14 atoms/cm2。18.如申请专利范围第7项之方法,其中掺杂于上述第一型离子区域上之该多层复晶矽层之离子为砷离子,掺杂能量约为1000-1500KeV,掺杂之剂量约为3E12-3E13 atoms/cm2。19.如申请专利范围第7项之方法,其中掺杂于上述第二型离子区域上之该多层复晶矽层之离子为硼离子,掺杂能量约为500-1000KeV,掺杂之剂量约为3E12-3E13 atoms/cm2。20.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一介电层与上述之第二介电层为利用液态制程形成之氧化层,制程温度约为室温。21.如申请专利范围第1项之方法,其中形成上述之第一凹沟与上述之第二凹沟之蚀刻剂为Cl2.BCl3/CCl4.CF4.SiCl4/Cl2.HBr/O2/Cl2.SF6,SF6/Br2.HBr/O2.BCl3/Cl2。图式简单说明:第一图为本发明之形成闸极氧化层与复晶矽层之截面图;第二图为本发明之形成闸极结构与多层复晶矽层之截面图;第三图为本发明之蚀刻多层复晶矽以定义埋窗接触区域之截面图;第四图为本发明之光环掺杂之轻微掺杂结构之截面图;第五图为本发明之形成第一液态介电氧化层于光阻间之凹沟中之截面图;第六图为本发明之形成NMOS之汲极、源极与间极之截面图;第七图为本发明之形成PMOS具有光环掺杂之轻微掺杂结构之截面图;第八图为本发明之形成第二液态介电氧化层于光阻间之凹沟中之截面图;第九图为本发明之形成PMOS之汲极、源极与间极之截面图;第十图为本发明之施以热处理制程增进液态介电氧化层致密性、汲极/源极离子之驱入以及将多层复晶矽中之离子扩散进入基板之截面图;及第十一图为本发明之形成矽化金属制程之截面图。 |
