蚀刻方法

摘要

将一流量比为1.3<=(C5F8的流量/O2的流量)<=1.625、由 C5F8、O2、及Ar所构成的处理气体供给至一蚀刻装置(100)的处理室(102)内，并将其压力环境设定为45mTorr~50mTorr。将一高频电力加至一载置有晶圆W、温度为20℃~40℃的下部电极(l10)上，而使该处理气体电浆化，并藉由电浆而在形成于该晶圆W上的SiO2膜上形成接触孔(210)，其中该SiO2膜系形成于该晶圆W上之SiNvX。藉由C5F8及O2，即可在SiO2膜之中形成一近乎垂直形状的接触孔(210)，同时，亦可提升该SiO2膜对SiNvX膜之选择比。由于该C5F8系可在相对短时间内于大气中分解，故即使将其直接释放于大气中，其亦不会成为温室效应原因的气体。

主权项

1.一种蚀刻方法,其系先将导入于一密闭处理室内的处理气体电浆化,而使其可对一SiO2膜进行蚀刻处理者,其中该SiO2膜系形成于一配置于该密闭处理室内的被处理体上;其特征在于:该处理气体系至少包含有C5F8及O2。2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该SiO2膜系形成于一该被处理体上所形成之SiNx膜上。3.如申请专利范围第2项所述之蚀刻方法,其中该C5F8及该O2的流量比系设定为1le(C5F8的流量/O2的流量)le1.5。4.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该C5F8及该O2的流量比系设定为1.3le(C5F8的流量/O2的流量)le1.625。5.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该处理室内的压力环境系设定为45mTorr-50mTorr。6.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中用以载置该被处理体的载置台之温度系设定为20℃-40℃。7.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该处理气体系更包含有无活性气体。8.如申请专利范围第7项所述之蚀刻方法,其中该无活性气体系为Ar。图式简单说明:第一图系为一可适用本发明之蚀刻装置的概略剖面图。第二图系为于第一图所示之蚀刻装置中,施以处理之晶圆的概略放大剖面图。第三图(a)-第三图(c)系为于本发明之实施例及习知比较例中,施以处理之晶圆的概略说明图。第四图系为用以说明接触孔之锥角的概略说明图。