发明名称 铁电电容器
摘要 一种铁电电容器用以防止因为金属层与铁电层在后续制程期间的电浆损坏所造成的铁电特性退化,以改良铁电电容器的特性,藉由形成大于铁电层区域之的上部电极层区域而与与外部端部份形成接触但不与对应铁电层之垂直方向之上部电极层的上部接触。该铁电电容器包括:一第一电极层,用以经由一接触孔电接触一主动区域,该第一电极层形成于中间隔离层之上且与形成于一场氧化层区域一样多;一铁电层用以储存电荷于其中,该铁电层形成于该第一电极层之一上表面之一部份之上;一障碍层用以覆盖该第一电极层之一外表面,该铁电层之一侧表面之一部份及一上表面之一部份,该障碍层用以开放该铁电层之一部份以使阻断该中间隔离层与该铁电层之间的相互作用;以及一第二电极层用以埋藏该障碍层之一上部之一开孔部并形成用来与对应该铁电层之垂直方向之该第二电极层之一上部以外的部份之上的外部端电连接之接触开孔,该第二电极层与该铁电层之一垂直方向之一上部连接并于水平方向延伸一特定距离。
申请公布号 TW405119 申请公布日期 2000.09.11
申请号 TW086104060 申请日期 1997.03.28
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 金允基
分类号 G11C11/22 主分类号 G11C11/22
代理机构 代理人 蔡清福 台北巿忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种铁电电容器,包括:一第一电极层,用以经由一接触孔电接触一主动区域,该第一电极层形成于中间隔离层之上且与形成于一场氧化层区域一样多;一铁电层用以储存电荷于其中,该铁电层形成于该第一电极层之一上表面之一部份之上;一障碍层用以覆盖该第一电极层之一外表面,该铁电层之一侧表面之一部份及一上表面之一部份,该障碍层用以开放该铁电层之一部份以便阻断该中间隔离层与该铁电层之间的相互作用;以及一第二电极层用以埋藏该障碍层之一上部之一开孔部并形成用来与对应该铁电层之垂直方向之该第二电极层之一上部以外的部份之上的外部端电连接之接触开孔,该第二电极层与该铁电层之一垂直方向之一上部连接并于水平方向延伸-特定距离。2.如申请专利范围第1项之铁电电容器,其中该第二电极层的区域大于该铁电层之区域。3.如申请专利范围第1项之铁电电容器,其中该障碍层由氧化钛组成。图式简单说明:第一图系习知铁电记忆装置之一实施例平面图。第二图系沿第一图之线1-1'之单一单元之制程截面图。第三图系本发明铁电记忆装置之一较佳实施例平面示意图。第四图系沿第三图之线3A-3A'之单一单元之制程截面图。
地址 韩国