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<p>Bei einem Halbleiterbauelement, mindestens aufweisend eine hochstrukturierte erste Schicht, die von einer zweiten Schicht räumlich ineinandergreifend vollständig ausgefüllt ist, wird erfindungsgemäss die erste hochstrukturierte Schicht mit säulen- oder porenförmigen Hohlräumen einer Grösse bis zur Untergrenze von ca. 5 nm auf eine Kontaktschicht aufgebracht und danach die zweite Schicht mittels Elektrodeposition abgeschieden, wobei das Potential zur Abscheidung der zweiten Schicht derart in Abhängigkeit des abzuscheidenden Materials eingestellt wird, dass die Deposition dieser zweiten Schicht von der Kontaktschicht aus nach oben durch Auffüllen der säulen- oder porenförmigen Hohlräume in der ersten Schicht erfolgt. Die zweite Schicht kann auch mittels ILGAR oder chemischer Badabscheidung aufgebracht werden. Weiterhin kann vor dem Aufbringen der zweiten Schicht eine Absorberschicht deponiert werden.</p> |
