| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung thermischer Prozeßschritte, insbesondere bei RTP-Prozessen während verschiedener Oxidationsprozesse. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß das Wafer mit einer Aufheizrate von ca. 12 °C/sec bis zu einem Stabilisierungsschritt bei 120 °C unterhalb der Prozeßtemperatur und anschließend bis zur Prozeßtemperatur mit einer Aufheizrate von 10 °C/sec. Die Abkühlung erfolgt mit einer geringeren Abkühlrate von ca. 20 °C/sec bis zur Ausfahrtemperatur.</p> |
