| 主权项 |
1.一种在微电子制造中增强光阻层于介电层上的附着力之方法,其包含下述步骤:提供一微电子制造用之基底;在基底上形成一层氧化矽介电层,该氧化矽介电层系以四乙基正矽酸盐(TEOS)作为矽之源材料,而使用化学汽相沈积法(CVD)制成;将该氧化矽介电层以电浆处理,而使该氧化矽介电层成为一电浆处理化氧化矽介电层;及在该电浆处理化氧化矽介电层上,形成一层蚀刻图光阻层,因而将氧化矽介电层作电浆处理之步骤,可增强蚀刻图光阻层在电浆处理化氧化矽介电层上之附着力。2.依申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法之微电子制造系选自由积体电路微电子制造、太阳电池微电子制造、以陶瓷为基底之微电子制造及平面显示器之微电子制造所组成之微电子制造群组。3.依申请专利范围第1项所述之方法:其中该化学汽相沈积法(CVD)系选自由热化学汽相沈积法(CVD)及电浆增强式化学汽相沈积法(PECVD)所组成之汽相沈积法(CVD)群组,而氧化矽介电层系选自由掺杂之氧化矽介电层及无掺杂之氧化矽介电层所组成之氧化矽介电层群组。4.依申请专利范围第1项所述之方法,其中用作电浆处理之电浆系选自由氧原子电浆及氮原子电浆所组成之电浆群组。5.依申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻图光阻层与电浆处理化氧化矽介电层间之附着力可在电浆处理化氧化矽介电层于暴露进行等向性蚀刻时增强,该等向性蚀刻系选自由湿式化学蚀刻法及高压反应性离子蚀刻法(RIE)所组成之等向性蚀刻法群组。6.一种微电子制造中形成氧化矽介电层其系根据申请专利范围第1项之方法制成。7.一种在微电子制造中于一介电层形上形成一蚀刻槽之方法,其包含下述步骤:提供一微电子制造用之基底;在基底上形成一层氧化矽介电层,该氧化矽介电层系以四乙基正矽酸盐(TEOS)作为矽之源材料,而使用化学汽相沈积法制成;将该氧化矽介电层以电浆处理,而使该氧化矽介电层成为一电浆处理化氧化矽介电层;在该电浆处理化氧化矽介电层上,形成一蚀刻图光阻层,以定位电浆处理化氧化矽介电层上蚀刻槽之位置,此将该氧化矽介电层作电浆处理之步骤,可增强蚀刻图光阻层在电浆处理化氧化矽介电层上之附着力;及以等向性蚀刻法蚀刻该电浆处理化氧化矽介电层以形成蚀刻槽。8.依申请专利范围第7项所述之方法,其中该微电子制造系选自由积体电路微电子制造、太阳电池微电子制造、以陶瓷为基底之微电子制造及平面显示器之微电子制造所组成之微电子制造群组。9.依申请专利范围第7项所述之方法,其中之化学汽相沈积法(CVD)系选自由热化学汽相沈积法(CVD)及电浆增强式化学汽相沈积法(PECVD)所组成之汽相沈积法(CVD)群组,而氧化矽介电层系选自由掺杂之氧化矽介电层及无掺杂之氧化矽介电层所组成之氧化矽介电层群组。10.依申请专利范围第7项所述方法,其中用作电浆处理之电浆系选自由氧原子电浆及氮原子电浆所组成之电浆群组。11.依申请专利范围第7项所述之方法,其中之等向性蚀刻法系选自由湿式化学蚀刻法及高压反应性离子蚀刻法(RIE)所组成之等向性蚀刻法群组。12.一种于微电子制造中在氧化矽介电层上生成之蚀刻槽其系依申请专利范围第7项所述之方法。13.一种在微电子基体电路制造中于一介电层上形成一蚀刻槽之方法,其包含下述步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一层氧化矽介电层,该氧化矽介电层系以四乙基正矽酸盐(TEOS)作为矽之源材料,而使用化学汽相沈积法(CVD)制成;将该氧化矽介电层以电浆处理,而使该氧化矽介电层成为一电浆处理化氧化矽介电层;在该电浆处理化氧化矽介电层上,形成一蚀刻图光阻层,以界定电浆处理化氧化矽介电层上酒杯型蚀刻槽之位置,此将氧化矽介电层作电浆处理之步骤,可增强蚀刻图光阻层在电浆处理化氧化矽介电层上之附着力;及以等向性蚀刻法蚀刻电浆处理化氧化矽介电层以形成酒杯型蚀刻槽。14.依申请专利范围第13项所述之方法,其中之化学汽相沈积法(CVD)系选自由热化学汽相沈积法(CVD)及电浆增强式化学汽相沈积法(PECVD)所组成之汽相沈积法(CVD)群组,而氧化矽介电层系选自由掺杂之氧化矽介电层及无掺杂之氧化矽介电层所组成之氧化矽介电层群组。15.依申请专利范围第13项所述之方法,其中之电浆系选自由氧原子电浆及氮原子电浆所组成之电浆群组。16.依申请专利范围第7项所述之方法,其中之等向性蚀刻法系选自由湿式化学蚀刻法及高压反应性离子蚀刻法(Rm)所组成之等向性蚀刻法群组。17.一种于积体电路微电子制造中于氧化矽介电层形成之蚀刻槽,其系依申请专利范围第13项之方法制成。图式简单说明:第一图所示为微电子制造中,习用微电子制造技术在氧化矽介电层上之一对酒杯型蚀刻槽剖面图。第二图所示为习用微电子制造方法中一对在氧化矽介电层上过度蚀刻之酒杯型蚀刻槽剖面图,其系因用以界定酒杯型蚀刻槽之蚀刻图光阻层,部份自氧化矽介电层上部份剥离所致。第三图至第六图所示为本发明之一较佳实施例之一系列的剖面图,用以说明在氧化矽介电层上进行各制造步骤之结果,其主要揭示在本发明之第一较佳具体实施例所形成无过度蚀刻之酒杯型蚀刻槽。第七图至第十一图所示一系列的剖面图,用以说明在积体电路制造中,在内金属介电层(IMD)上进行各制造步骤之结果,其主要根据本发明之第二较佳具体之实施例所形无过度蚀刻之酒杯型蚀刻槽。 |
