形成具有替代金属栅电极的集成电路

摘要

在金属栅替代工艺中，可形成至少两个多晶硅层或其它材料的叠层。可在该叠层上形成侧壁隔片。然后可将叠层平坦化。接着，可选择性地去除该叠层的上层。然后，可选择性地去除侧壁隔片的暴露部分。最后，可去除叠层的下部以形成可用金属替代填充的T形沟槽。

主权项

1.一种半导体结构，包括：衬底；所述衬底上的虚介电层；所述虚介电层上的具有双层结构的图案化多晶硅层；在所述图案化多晶硅层的相对侧上形成的侧壁隔片，所述侧壁隔片不在所述图案化多晶硅层上延伸；在所述图案化多晶硅层上的介电层；通过去除所述虚介电层、图案化多晶硅层和部分介电层而在所述侧壁隔片之间形成的沟槽；以及在所述衬底上的沟槽底部处形成的栅电介质层。