| 主权项 |
1.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成一闸极电极;于该闸极电极和该基底的表面形成一共形的第一介电层;于该闸极电极侧壁之该共形的第一介电层外,形成一间隙壁;剥除部份该共形的第一介电层,至该共形的第一介电层于该间隙壁下方大约成底切状态;于该闸极电极上沈积一第二介电层。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中于该闸极电极和该基底的表面形成该共形的第一介电层之前,更包括以该闸极电极为罩幕,进行一离子植入制程,以于该基底中形成一第一掺杂区。3.如申请专利范围第2项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中于该于该闸极电极侧壁之该共形的第一介电层外,形成该间隙壁之后,更包括以该闸极电极和该间隙壁为罩幕,进行一离子植入制程,以于该基底中形成一第二掺杂区。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该共形的第一介电层之材质不同于该间隙壁的材质。5.如申请专利范围第4项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该共形的第一介电层之材质包括氧化物,该间隙壁的材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中剥除部份该共形的第一介电层,至该共形的第一介电层于该间隙壁下方大约成底切状态的方法,包括进行一等向性蚀刻制程。7.如申请专利范围第6项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中更进一步包括使该闸极电极和该间隙壁之间的该共形的第一介电层亦被部份剥离。8.如申请专利范围第6项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该等向性蚀刻制程的蚀刻剂包括氢氟酸。9.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成一闸极电极,且该闸极电极两侧的该基底中已形成一第一掺杂区;于该闸极电极和该基底的表面形成一共形的第一介电层;于该闸极电极侧壁之该共形的第一介电层外,形成一间隙壁;以该闸极电极和该间隙壁为罩幕,于该基底中形成一第二掺杂区;剥除部份该共形的第一介电层,以使该间隙壁的底部和该闸极电极与该间隙壁之间相对应的侧壁,均呈部份裸露状态;以及于该闸极电极上沈积一第二介电层,以大约于该间隙壁的底部和该基底之间形成一第一孔洞,和于该间隙壁和该闸极电极之间形成一第二孔洞。10.如申请专利范围第9项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该共形的第一介电层之材质不同于该间隙壁的材质。11.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该共形的第一介电层之材质包括氧化物,该间隙壁的材质包括氮化矽。12.如申请专利范围第9项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中剥除部份该共形的第一介电层的方法,包括进行一等向性蚀刻制程。13.如申请专利范围第12项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该等向性蚀刻制程的蚀刻剂包括氢氟酸。图式简单说明:第一图A至第一图C系绘示根据本发明较佳实施例之一种金氧半电晶体的制造流程剖面图。 |
