| 主权项 |
1.一种制造平坦化的矽电感器结构的方法,其步骤包括:形成一周边氧化层于一基底上;定义一平坦化的电感器图案于该基底上;定义一磊晶区域于该包含有平坦化电感器图案之基底上;形成一第一氧化层于该周边氧化层上,且该第一氧化层是沉积于环绕该磊晶区域之外侧;沉积一磊晶层于该磊晶区域,其中该磊晶层包括有磊晶矽;形成一第二氧化层覆盖该磊晶层以及该第一氧化层,其中该第二氧化层与该第一氧化层并且合并为一连续的内连接电感器氧化层;以及根据该平坦的电感器图案形成一金属线,以成为一矽电感器结构于该基底上。2.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中该周边氧化层是利用热氧化法或化学气相沉积法形成于该基底上。3.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中该周边氧化层之厚度约为2mm。4.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中该平坦化的电感器图案是螺旋状的图案。5.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中形成于该周边氧化层上之该第一氧化层形成之步骤包括:(a)形成一光阻层覆盖该基底;(b)使用微影技术去除对应于该磊晶区域之部分光阻;(c)使用非等向性蚀刻技术去除未被该光阻所覆盖之周边氧化层部分;以及(d)去除残余的光阻。6.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中该磊晶层包含有掺杂的磊晶矽。7.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中该磊晶层之电阻至少约为2,000ohm-cm。8.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中磊晶层是藉由沉积一经本徵掺杂过的N型磊晶层于该磊晶区域而得。9.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中该第一氧化层之高度大于该磊晶层,以允许该第二氧化层可与该第一氧化层可垂直地或平行地合并起来。10.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中更可包括沉积一内金属介电层以覆盖由平坦化电感器结构构成之金属线。11.一种平坦的矽电感器,其包括:(a)一矽基底;(b)一形成于该矽基底上之磊晶层;(c)一形成于该基底上之第一氧化层,该第一氧化层并且环绕该磊晶层之表面以及其两边;(d)一形成于该磊晶层以及该第一氧化层上之第二氧化层,且该第一氧化层以及该第二氧化层并且合并而形成一连续的电感器氧化层;(e)一具平坦化电感器图案之金属线形成于位在该磊晶层上之该第二氧化层表面;(f)一包覆该金属线之内金属介电层;(g)其中该磊晶层包含有磊晶矽。12.如申请专利范围第11项所述之平坦矽电感器,其乃根据下列步骤制作获得:提供一矽基底作为起始晶圆;形成一周边氧化层于该基底上;定义一平坦化的电感器图案于该基底上;定义一磊晶区域于该包含有平坦化电感器图之基底上;形成一第一氧化层于该周边氧化层上,且该第一氧化层是沉积在环绕该磊晶区域之外侧;沉积一磊晶层于该磊晶区域,其中该磊晶层包括有磊晶矽;形成一第二氧化层覆盖该磊晶层以及该第一氧化层,其中该第二氧化层与该第一氧化层并且合并为一连续的内连接电感器氧化层;以及根据该平坦的电感器图案形成一金属线,以成为一矽电感器结构于该基底上。13.如申请专利范围第11项所述之平坦化矽电感器,其中该周边氧化层是利用热氧化法或化学气相沉积法形成于该基底上。14.如申请专利范围第11项所述之平坦化矽电感器,其中该周边氧化层之厚度约为2mm。15.如申请专利范围第11项所述之平坦化矽电感器,其中该平坦化的电感器图案是螺旋状的图案。16.如申请专利范围第11项所述之平坦化矽电感器,其中形成于该周边氧化层上之该第一氧化层形成之步骤包括:(a)形成一光阻层覆盖该基底;(b)使用微影技术去除对应于该磊晶区域之部分光阻;(c)使用非等向性蚀刻技术去除未被该光阻所覆盖之周边氧化层部分;以及(d)去除残余的光阻。17.如申请专利范围第11项所述之平坦化矽电感器,其中该磊晶层包含有掺杂的磊晶矽。18.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中该磊晶层之电阻至少约为2,000ohm-cm。19.如申请专利范围第11项所述之平坦化矽电感器,其中磊晶层是藉由沉积一经本徵掺杂过的N型磊晶层于该磊晶区域而得。20.如申请专利范围第1项所述之制造平坦化的矽电感器结构的方法,其中该第一氧化层之高度大于该磊晶层,以允许该第二氧化层可与该第一氧化层可垂直地或平行地合并起来。 |
