| 主权项 |
1.一种氮化铝烧结体,其相对密度为99.5%以上且铝 以外的金属元素之含量为100ppm以下, 室温之体积电阻率为1.0109cm以上、1.01013 cm以下。2.如申请专利范围第1项所述之氮化铝 烧结体,其中,氮化铝之依据电子共振法之频谱中, 不成对电子的g値为2.0000以下。3.如申请专利范围 第1项所述之氮化铝烧结体,其中,依据电子共振法 所得之频谱中铝的每 单位mg之自旋数为51012spin以上。4.一种金属包埋 材,其为将金属元件埋设于氮化铝烧结体所构成之 基材内,并将前述基材与 前述金属元件进行一体般之烧结所形成之金属包 埋材;前述基材之至少一部分系由如申请专 利范围第2项所述之氮化铝烧结体所构成。5.如申 请专利范围第3项所述之氮化铝烧结体,其中,在依 据阴极发光法之频谱中,在350nm -370nm之波长区域具有主要吸收峰。6.如申请专利 范围第5项所述之氮化铝烧结体,其中,相对密度为 99.5%以上。7.一种金属包埋材,其为将金属元件埋 设于氮化铝烧结体所构成之基材内,并将前述基材 与 前述金属元件进行一体般之烧结所形成之金属包 埋材;前述基材之至少一部分系由如申请专 利范围第6项所述之氮化铝烧结体所构成。8.如申 请专利范围第1项所述之氮化铝烧结体,其中,依据 电子共振法所得之频谱中铝的每 单位mg之自旋数为51012spin以上。9.一种金属包埋 材,其为将金属元件埋设于氮化铝烧结体所构成之 基材内,并将前述基材与 前述金属元件进行一体般之烧结所形成之金属包 埋材;前述基材之至少一部分系由如申请专 利范围第8项所述之氮化铝烧结体所构成。10.如申 请专利范围第1项所述之氮化铝烧结体,其中,在依 据阴极发光法之频谱中,在 350nm-370nm之波长区域具有主要吸收峰。11.一种金 属包埋材,其为将金属元件埋设于氮化铝烧结体所 构成之基材内,并将前述基材 与前述金属元件进行一体般之烧结所形成之金属 包埋材;前述基材之至少一部分系由如申请 专利范围第10项所述之氮化铝烧结体所构成。12. 一种金属包埋材,其为将金属元件埋设于氮化铝烧 结体所构成之基材内,并将前述基材 与前述金属元件进行一体般之烧结所形成之金属 包埋材;前述基材之至少一部分系由如申请 专利范围第1项所述之氮化铝烧结体所构成。13.一 种金属包埋材,其为将金属元件埋设于氮化铝烧结 体所构成之基材内,并将前述基材 与前述金属元件进行一体般之烧结所形成之金属 包埋材;前述基材之至少一部分系由如申请 专利范围第1项所述之氮化铝烧结体所构成。14.如 申请专利范围第13项所述之金属包埋材,其中,前述 基材中,包含前述金属元件的部 分之相对密度为99.5%以上。15.如申请专利范围第13 项所述之金属包埋材,其中,前述基材中,位于前述 金属元件的一 侧之第一部分系由如申请专利范围第1项所述之氮 化铝烧结体所构成。16.如申请专利范围第13项所 述之金属包埋材,其中,前述基材中,位于前述金属 元件的一 侧之第一部分系由如申请专利范围第6项所述之氮 化铝烧结体所构成。17.如申请专利范围第14项所 述之金属包埋材,其中,前述金属元件系被包在如 申请专利范 围第1项所述之氮化铝烧结体内。18.如申请专利范 围第14项所述之金属包埋材,其中,前述金属元件系 被包在如申请专利范 围第6项所述之氮化铝烧结体内。19.如申请专利范 围第15项所述之金属包埋材,其中,前述基材中,在 位于前述金属元件的 另一侧之第二部分存在有相对密度97.5%以上99.5%以 下之氮化铝烧结体。20.如申请专利范围第16项所 述之金属包埋材,其中,前述基材中,在位于前述金 属元件的 另一侧之第二部分存在有相对密度97.5%以上99.5%以 下之氮化铝烧结体。21.一种静电夹头,其为具备如 申请专利范围第13项所述的金属包埋材之静电夹 头;前述基 材之介电层侧系由如申请专利范围第1项所述之氮 化铝烧结体所构成,而以前述金属元件作 为电极,且在前述电极上介由前述介电层以进行被 处理物的吸着。22.一种静电夹头,其为具备如申请 专利范围第17项所述的金属包埋材之静电夹头;前 述基 材之介电层侧系由如申请专利范围第6项所述之氮 化铝烧结体所构成,而以前述金属元件作 为电极,且在前述电极上介由前述介电层以进行被 处理物的吸着。23.一种静电夹头,其为具备如申请 专利范围第19项所述的金属包埋材之静电夹头;前 述基 材之介电层侧系由如申请专利范围第6项所述之氮 化铝烧结体所构成,而以前述金属元件作 为电极,且在前述电极上介由前述介电层以进行被 处理物的吸着。24.一种氮化铝烧结体,其铝以外的 金属元素之含量为100ppm以下,其氮化铝的依据电子 共 振法之频谱中,不成对电子的g値为2.0000以下。25. 一种氮化铝烧结体,其铝以外的金属元素之含量为 100ppm以下,其依据电子共振法所得 之频谱中铝的每单位mg之自旋数为51012spin以上。 26.一种氮化铝烧结体,其铝以外的金属元素之含量 为100ppm以下,其在依据阴极发光之频 谱中,在350nm-370nm之波长区域具有主要的吸收峰。 27.一种氮化铝烧结体之制造方法,其为藉由在1700 ℃-2000℃之温度及100kg/cm2以上之压 力下烧结铝以外的金属元素含量为100ppm以下之氮 化铝原料以制造出相对密度95.0%以上之 氮化铝烧结体,且接着对此氮化铝烧结体实施温度 1850℃以上之热处理。28.一种氮化铝烧结体之制造 方法,其为用来制造出铝以外金属元素含量100ppm以 下、室温 下体积电阻率1.0109cm以上1.01013cm以下之 氮化铝的制造出法;其系藉由将 金属元件埋设于铝以外的金属元素含量100ppm以下 之原料所构成之成形体中,并在1850- 2200℃之温度及50kg/cm2以上之压力下烧结此成形体 以得出将金属元件埋设于氮化铝构成之 基材的内部所形成之金属包埋材,藉由前述金属元 件以将前述基材实质上分割成第一部分及 第二部分,前述第一部分之厚度为10mm以下,基于此 以得出作为构成前述第一部分的基材之 氮化铝烧结体。29.一种金属包埋材之制造方法,其 系藉由将金属元件埋设于铝以外的金属元素含量 100ppm 以下之原料所构成之成形体中,并在1850-2200℃之温 度及50kg/cm2以上之压力下烧结此成 形体以得出将金属元件埋设于氮化铝构成之基材 的内部所形成之金属包埋材,藉由前述金属 元件以将前述基材实质上分割成第一部分及第二 部分,且前述第一部分及第二部分的厚度比 例为1:2以上。图式简单说明: 第一图系概略地显示适用于本发明的静电夹头之 一部分的剖面图。 第二图(a)系显示第一图的静电夹头的剖面之斜视 图;第二图(b)系显示金属线所构成的 电极之斜视图。 第三图(a)系显示可作为电极之冲孔金属14的斜视 图;第三图(b)系显示可作为电极之圆 形薄板15的斜视图;第三图(c)系显示可作为电极使 用之薄板16之平面图。 第四图系概略地显示适用于本发明之具备加热器 的静电夹头的一部分之剖面图。 第五图(a)、第五图(b)系分别显示在本发明的金属 包埋材之基材内之各烧结体分布的模 式图。 第六图(a)、第六图(b)、第六图(c)系分别显示在本 发明的金属包埋材之基材内之各烧 结体分布的模式图。 第七图系显示在本发明的金属包埋材之基材内之 各烧结体分布的模式图。 第八图系用来说明铝及其他原子的结合状态与ESR 频谱的g値间之关系。 第九图系用来说明阴极发光的原理之模式图。 第十图系用来说明适于用来制造本发明的金属包 埋材之热压法的模式剖面图。 第十一图系显示本发明例的氮化铝烧结体之阴极 发光测定结果之图形。 第十二图系显示本发明例的氮化铝烧结体的陶瓷 组织之扫瞄式电子显微镜照片。 第十三图系显示作为比较对象之添加有5重量%Y2O3 之氮化铝烧结体的阴极发光测定结果 之图形。 第十四图系显示作为比较对象之添加有5重量%Y2O3 之氮化铝烧结体的陶瓷组织之扫瞄式 电子显微镜照片。 |
