| 发明名称 |
Etching mask used in dry etching processes for microelectronics comprises an electrically conducting layer between a masking layer on a structuring layer |
| 摘要 |
Etching mask comprises an electrically conducting layer (11) between a masking layer (10) on a structuring layer (12).
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| 申请公布号 |
DE19907621(A1) |
申请公布日期 |
2000.08.31 |
| 申请号 |
DE19991007621 |
申请日期 |
1999.02.23 |
| 申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH |
发明人 |
HIRTREITER, JOSEF;ELSNER, BERNHARD;HERRMANN, FALK |
| 分类号 |
H01L21/033;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/308 |
主分类号 |
H01L21/033 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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