| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen einer DRAM-Zelle mit einem Grabenkondensator. Um das Herstellungsverfahren für eine DRAM-Zelle zu vereinfachen, eine hohe Ausbeute sicherzustellen und eine hohe Packungsdichte der DRAM-Zellen zu erreichen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, den Speicherkondensator (4) der DRAM-Zelle und den Auswahltransistor (3) unabhängig voneinander zu fertigen. Nachdem der Kondensator in der ersten Zone (6) erzeugt worden ist, wird eine zweite Zone (10) auf der ersten Zone (6) angeordnet, so dass der erste Graben (7) in der ersten Zone (6) abgedeckt ist. Vorzugsweise erfolgt dieses Anordnen der zweiten Zone (10) auf der ersten Zone (6) mittels dem Fachmann allgemein bekannten Techniken, wie 'Direct Wafer Bonding' oder 'Smart Cut'. Mit dem 'Direct Wafer Bonding' - oder 'Smart Cut' - Verfahren lässt sich auf einfache Art und Weise eine scharf definierte Grenzfläche (1) zwischen der ersten Zone (6) und der zweiten Zone (10) erzeugen.</p> |
