| 主权项 |
/AIT{1.一种用于半导体基板之化学机械抛光(CMP)的 抛光垫,该抛光垫系包括有:} /ait{一个抛光表面,该抛光表面系经由砂浆来抛光 半导体基板的一个表面;} /ait{一个第一抛光区域,该第一抛光区域系形成在 该抛光表面上而具有一个第一深度、一 个第一宽度、以及一个第一间隔,该第一抛光区域 系具有复数个充满砂浆之第一砂浆容置机 构,该等砂浆容置机构系具有一个相对于该抛光表 面之单位面积的第一容积比率;以及} /ait{一个第二抛光区域,该第二抛光区域系接触到 该第一抛光区域,该第二抛光区域系被 形成在该抛光表面上而具有一个第二深度、一个 第二宽度、以及一个第二间隔,该第二抛光 区域系具有复数个充满砂浆之第二砂浆容置机构, 该等砂浆容置机构系具有一个相对于该抛 光表面之单位面积的第二容积比率,而此第二容积 比率系不同于该第一容积比率。} /AIT{2.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第一抛光区域系从第一半径延伸 至第二半径,并且该第二抛光区域系从第二半径延 伸至第三半径。} /AIT{3.根据申请专利范图第3项中所述之抛光垫,其 中,该第三半径系为从抛光表面中央至 其边缘的距离,并且该第二半径系小于该第三半径 并且大于该第一半径。} /AIT{4.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第一砂浆容置机构与该第二砂浆 容置机构系为分别形成在该抛光表面上的第一穿 孔及第二穿孔。} /AIT{5.根据中请专利范围第4项中所述之抛光垫,其 中,每抛光表面单位面积之第二穿孔数 目系大于每抛光表面单位面积之第一穿孔数目。} /AIT{6.根据申请专利范围第4项中所述之抛光垫,其 中,每抛光表面单位面积之第二穿孔数 目系小于每抛光表面单位面积之第一穿孔数目。} /AIT{7.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第一砂浆容置机构与该第二砂 浆容置机构系为分别形成在该抛光表面上的第一 沟槽及第二沟槽。} /AIT{8.根据申请专利范围第7项中所述之抛光垫,其 中,每抛光表面单位面积之第二沟槽数 目系大于每抛光表面单位面积之第一沟槽数目。} /AIT{9.根据申请专利范围第7项中所述之抛光垫,其 中,每抛光表面单位面积之第二沟槽数 目系小于每抛光表面单位面积之第一沟槽数目。} /AIT{10.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第二深度系较第一深度为深。} /AIT{11.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第二宽度系较第一宽度为宽。} /AIT{12.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第二间隔系较第三间隔为小。} /AIT{13.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第二深度系较第一深度为浅。} /AIT{14.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第二宽度系较第一宽度为窄。} /AIT{15.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第二间隔系较第一间隔为大。} /AIT{16.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 中,该第一砂浆容置机构与该第二砂 浆容置机构系为分别规则地形成在该第一抛光区 域与该第二抛光区域中。} /AIT{17.根据申请专利范围第16项中所述之抛光垫, 其中,该第一砂浆容置机构之第一深度 、第一宽度、以及第一间隔在介于该第一抛光区 域与该第二抛光区域之间的边界处系继续地 被改变至该第二砂浆容置机构之第二深度、第二 宽度、以及第二间隔。} /AIT{18.根据申请专利范围第1项中所述之抛光垫,其 更包括有一个第三抛光区域,该第三 抛光区域系具有一个第三深度、一个第三宽度、 以及一个第三间隔,该第三抛光区域系朝向 该第二抛光区域,并且系具有复数个第三砂浆容置 机构,该等砂浆容置机构系具有一个相对 于该抛光表面之单位面积的第三容积比率,而此第 三容积比率系不同于该第一容积比率。} /AIT{19.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第一抛光区域系从抛光表面中 心的第一半径延伸至第二半径,该第二抛光区域系 从第二半径延伸至第三半径,并且该第三 抛光区域系从该第一半径延伸至一个第四半径。} /AIT{20.根据申请专利范围第19项中所述之抛光垫, 其中,该第四半径系为从抛光表面中央 至其边缘的距离,该第一半径系小于该第四半径并 且大于该第二半径,并且该第三半径系小 于该第二半径。} /AIT{21.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三砂浆容置机构系为形成在 该抛光表面上的复数个第三穿孔。} /AIT{22.根据申请专利范围第4项中所述之抛光垫,其 中,每抛光表面单位面积之第三穿孔 数目系大于复数个穿孔数目。} /AIT{23.根据申请专利范围第21项中所述之抛光垫, 其中,每抛光表面单位面积之第三穿孔 数目系大于复数个穿孔数目。} /AIT{24.根据申请专利范围第4项中所述之抛光垫,其 中,每抛光表面单位面积之第三穿孔 数目系小于每抛光表面单位面积之第一穿孔数目 。} /AIT{25.根据申请专利范围第21项中所述之抛光垫, 其中,每抛光表面单位面积之第三穿孔 数目系小于每抛光表面单位面积之第一穿孔数目 。} /AIT{26.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三砂浆容置机构系为形成在 该抛光表面上的复数个第三沟槽。} /AIT{27.根据申请专利范围第7项中所述之抛光垫,其 中,每抛光表面单位面积之第三沟槽 数目系大于每抛光表面单位面积之第一沟槽数目 。} /AIT{28.根据申请专利范围第26项中所述之抛光垫, 其中,每抛光表面单位面积之第三沟槽 数目系大于每抛光表面单位面积之第一沟槽数目 。} /AIT{29.根据申请专利范围第7项中所述之抛光垫,其 中,每抛光表面单位面积之第三沟槽 数目系小于每抛光表面单位面积之第一沟槽数目 。} /AIT{30.根据申请专利范围第26项中所述之抛光垫, 其中,每抛光表面单位面积之第三沟槽 数目系小于每抛光表面单位面积之第一沟槽数目 。} /AIT{31.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三深度系较第一深度为深。} /AIT{32.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三宽度系较第一宽度为宽。} /AIT{33.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三间隔系较第一间隔为小。} /AIT{34.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三深度系较第一深度为浅。} /AIT{35.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三宽度系较第一宽度为窄。} /AIT{36.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三间隔系较第一间隔为大。} /AIT{37.根据申请专利范围第18项中所述之抛光垫, 其中,该第三砂浆容置机构系规则地形 成在该第三抛光区域中。} /AIT{38.根据申请专利范围第17项中所述之抛光垫, 其中,该第三砂浆容置机构之第三深度 、第三宽度、以及第三间隔在介于该第三抛光区 域与该第一抛光区域之间的边界处系继续地 被改变至该第一砂浆容置机构之第一深度、第一 宽度、以及第一间隔。} /AIT{39.根据申请专利范围第37项中所述之抛光垫, 其中,该第三砂浆容置机构之第三深度 、第三宽度、以及第三间隔在介于该第三抛光区 域与该第一抛光区域之间的边界处系继续地 被改变至该第一砂浆容置机构之第一深度、第一 宽度、以及第一间隔。} /AIT{40.一种用于半导体基板之化学机械抛光(CMP)的 抛光垫,该抛光垫系包括有:} /ait{一个抛光表面,该抛光表面系经由砂浆来抛光 半导体基板的一个表面;} /ait{一个第一抛光区域,该第一抛光区域系形成在 该抛光表面上而具有一个第一深度、一 个第一宽度、以及一个第一间隔,该第一抛光区域 系具有复数个充满砂浆之第一砂浆容置机 构,该等砂浆容置机构系具有一个相对于该抛光表 面之单位面积的第一容积比率;} /ait{一个第二抛光区域,该第二抛光区域系接触到 该第一抛光区域,该第二抛光区域系被 形成在该抛光表面上而具有一个第二深度、一个 第二宽度、以及一个第二间隔,该第二抛光 区域系具有复数个充满砂浆之第二砂浆容置机构, 该等砂浆容置机构系具有一个相对于该抛 光表面之单位面积的第二容积比率,而此第二容积 比率系不同于该第一容积比率;以及} /ait{一个第三抛光区域,该第三抛光区域系形成在 该第一抛光区域上而具有一个第三深度 、一个第三宽度、以及一个第三间隔,该第三抛光 区域系朝向该第二抛光区域,并且系具有 复数个充满砂浆之第三砂浆容置机构,该等砂浆容 置机构系具有一个相对于该抛光表面之单 位面积的第三容积比率,而此第三容积比率系不同 于该第一容积比率。} /AIT{41.根据申请专利范围第40项中所述之抛光垫, 其中,该第一砂浆容置机构、该第二砂 浆容置机构、以及该第三砂浆容置机构中的每一 个系为穿孔或沟槽。} /tt 第一图系为一个化学机械抛光装置之示意图; 第二图以及第三图系分别为根据本发明第一实施 例之抛光垫的平面图及截面图; 第四图以及第五图系分别为根据本发明第二实施 例之抛光垫的平面图及截面图; 第六图以及第七图系分别为根据本发明第三实施 例之抛光垫的平面图及截面图; 第八图以及第九图系分别为根据本发明第四实施 例之抛光垫的平面图及截面图; 第十图以及第十一图系分别为根据本发明第五实 施例之抛光垫的平面图及截面图; 第十二图以及第十三图系分别为根据本发明第六 实施例之抛光垫的平面图及截面图; 第十四图以及第十五图系分别为根据本发明第七 实施例之抛光垫的平面图及截面图; 第十六图以及第十七图系分别为根据本发明第八 实施例之抛光垫的平面图及截面图; 第十八图以及第十九图系分别为根据本发明第九 实施例之抛光垫的平面图及截面图; 第二十图以及第二十一图系分别为根据本发明第 十实施例之抛光垫的平面图及截面图;以及 第二十二图系为一个图表,其系显示了在根据本发 明一个实施例之每一个抛光垫中在特 征上的改变。 |
