| 发明名称 | 形成无边框栅结构的方法和由此形成的装置 | ||
| 摘要 | 一种在晶体管中形成栅导体包覆的方法,包括以下步骤:a)形成多晶硅栅导体;b)掺杂多晶硅部分;c)掺杂扩散区域;以及d)通过选自选择性氮化物淀积和选择性表面氮化的氮化方法包覆栅导体。所得晶体管包括包覆的栅导体和无边框扩散接触,其中通过选自选择性氮化物淀积和选择性表面氮化的氮化方法进行包覆,其中在氮化方法期间掩蔽部分栅导体,留出开口用做局部互连或栅接触的接触区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1263356A | 申请公布日期 | 2000.08.16 |
| 申请号 | CN99126409.6 | 申请日期 | 1999.12.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 古川俊治;M·C·哈奇;S·J·霍梅斯;D·V·霍拉克;P·A·拉比多西 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/318;H01L21/3205;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种在晶体管中形成栅导体包覆的方法，包括以下步骤：在具有半导体部分的衬底上形成栅导体的多晶硅部分；掺杂多晶硅部分；在半导体部分中掺杂多个扩散区域；以及通过选择性氮化方法包覆栅导体。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||