| 主权项 |
1.一种雷射刻号的制造方法,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成一护层;提供一雷射光,于该基底表面制造出一雷射刻号;以及去除该护层。2.如申请专利范围第1项所述之雷射刻号的制造方法,其中该雷射光包括高能量密度之雷射光。3.如申请专利范围第2项所述之雷射刻号的制造方法,其中该雷射光之能量约750-1000mJ。4.如申请专利范围第1项所述之雷射刻号的制造方法,其中所完成之该雷射刻号之深度约2m-10m。5.如申请专利范围第1项所述之雷射刻号的制造方法,其中该护层包括二氧化矽。6.如申请专利范围第5项所述之雷射刻号的制造方法,其中去除该护层之方法包括湿蚀刻。7.如申请专利范围第5项所述之雷射刻号的制造方法,其中该护层之厚度约1000埃-2000埃。8.如申请专利范围第1项所述之雷射刻号的制造方法,其中该护层包括氮化矽。9.如申请专利范围第8项所述之雷射刻号的制造方法,其中去除该护层之方法包括湿蚀刻。10.如申请专利范围第8项所述之雷射刻号的制造方法,其中该护层之厚度约1000埃-2000埃。11.如申请专利范围第1项所述之雷射刻号的制造方法,其中该护层包括光阻。12.如申请专利范围第11项所述之雷射刻号的制造方法,其中于制作出该雷射刻号之后与去除该护层之前,更包括以该护层为罩幕,蚀刻该基底,直到该基底之该雷射刻号呈凹槽状。13.如申请专利范围第11项所述之雷射刻号的制造方法,其中去除该护层之方法包括灰化法。14.如申请专利范围第11项所述之雷射刻号的制造方法,其中该光阻之厚度约9000-11000埃。图式简单说明:第一图系绘示习知一种雷射刻号剖面图;第二图A-第二图D其绘示依照本发明第一较佳实施例的一种雷射刻号的制造方法剖面示意图;以及第三图A-第三图C其绘示依照本发明第二较佳实施例的另一种雷射刻号的制造方法剖面示意图。 |
