| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf einen Hybrid-Leistungs-MOSFET mit einem niedersperrenden MOSFET (2) und einem hochsperrenden Sperrschicht-FET (4). Erfindungsgemäß weist diese Kaskodenschaltung wenigstens zwei hochsperrende Sperrschicht-FET (41,...,4n) auf, die elektrisch parallel geschaltet und deren Gate-Anschlüsse (G1, ...,Gn) jeweils mittels einer Verbindungsleitung (81,...,8n) mit dem Source-Anschluß (S') des niedersperrenden MOSFET (2) elektrisch leitend verbunden sind. Somit erhält man einen Hybrid-Leistungs-MOSFET für eine hohe Stromtragfähigkeit, dessen Aufbautechnik infolge der Verwendung von nur einer Steuerleitung und n+1 Chips sich wesentlich vereinfacht hat.</p> |
