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发明名称 CIRCUITRY AND METHOD FOR SELECTING A DRAIN PROGRAMMING VOLTAGE FOR A NONVOLATILE MEMORY
摘要
申请公布号 KR100261525(B1) 申请公布日期 2000.07.15
申请号 KR19967001234 申请日期 1996.03.11
申请人 INTEL CORP. 发明人 FAZIO, ALBERT;ARWOOD, GREGORY E.;BRENNAN, JAMES JR.;LANDGRAF, MARC E.
分类号 G11C17/00;G11C16/02;G11C16/06;G11C16/30;G11C16/34;G11C29/02;G11C29/50;(IPC1-7):G11C16/06;G11C29/00 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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