一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法

摘要

本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩模，或两次都利用光刻胶作为掩膜，腐蚀牺牲层，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计，彻底克服了粘附效应，适合于批量生产。

主权项

1、一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法，其特征是包括如下步骤： 1)在多晶硅结构制备过程中，同时形成与衬底相连的多晶硅支柱(13)； 2)随后，利用氮化硅薄膜作为多晶硅结构的掩膜，再用光刻胶作为刻腐 蚀孔的掩膜，刻出腐蚀孔，去胶后进行牺牲层腐蚀，清洗干燥后利用已有的氮 化硅掩膜，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除，最后干法刻除氮 化硅掩膜；或利用光刻胶作为第一次掩膜，刻出腐蚀孔，去胶并进行牺牲层腐 蚀，清洗甩干后，再用光刻胶作为第二次掩膜，干法刻出多晶硅结构，并同时 把多晶硅支柱(13)去除。