半导体器件

摘要

本发明提供一种新构造的凸极的半导体器件，该装置的内引线表面的镀锡层与凸出电极进行反应所形成的Ａｕ－ｓｎ等的合金不会达到钝化开口部分的底面。钝化开口部分９的中心被配置为比凸出电极５的中心更靠近半导体衬底中心。更靠近内引线的顶端而远离外引线。通过采用该办法，就可以防止因内引线的镀锡层与凸出电极的金属发生反应而生成的Ａｕ－Ｓｎ等的合金达到钝化开口部分的底部而无需改变凸出电极５的高度或钝化开口部分９的尺寸。

主权项

1.一种半导体器件，其特征是：具备有已经形成了半导体元件的半导体衬底(1)、形成于上述半导体衬底上且已与上半导体元件电连的电极焊盘(2)，在含有上述半导体元件和上述电极的上述半导体衬底上形成且具有使上述电极焊盘的指定地方露出来的开口部分的钝化膜(3)，形成于上述电极焊盘上、上述开口部分周边的上述钝化膜上以及上述开口部分侧壁上的阻挡金属层(4)，(41，42，43)，形成于上述阻挡金属层上的凸出电极(5)，一端与外引线相连，另一端与上述凸出电极相连的内引线(8)，上述内引线被配置为其顶端从靠近上述半导体衬底的指定一边的凸出电极的一边，指向与该边相对的另一边，上述开口部分的中心，比上述凸出电极的中心还靠近与上述凸出电极的上述一边相对的另一边。