| 发明名称 | 氮化物半导体的生长方法、半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物;金属和其上的氮化物;氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物或第一金属,其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物;氧化物可以是SiO<SUB>2</SUB>,氮化物可以是TiN或SiN,由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO,金属可以是Ti或Pt。 | ||
| 申请公布号 | CN1258094A | 申请公布日期 | 2000.06.28 |
| 申请号 | CN99124388.9 | 申请日期 | 1999.11.26 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 日野智公;浅野竹春;朝妻庸纪;喜嶋悟;船户健次;富谷茂隆 |
| 分类号 | H01L21/20;H01S5/323;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用来在衬底上形成生长掩模并通过采用生长掩模在衬底上选择生长III-V族氮化物半导体的III-V族氮化物半导体的生长方法，其特征在于：采用至少其上表面由氮化物组成的多层薄膜作为生长掩模。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||