发明名称 A method for forming a metal interconnection in a semiconductor device
摘要
申请公布号 EP0898308(A3) 申请公布日期 2000.06.21
申请号 EP19980302581 申请日期 1998.04.02
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YOON, MEE-YONG;LEE, SANG-IN
分类号 H01L21/285;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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